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田朋飛：基于Micro-LE
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田朋飛：基于Micro-LE
《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見光通信及水下充電系統》作者：林潤澤，崔旭高，田朋飛單位：復旦大學信息科學與工程學院
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limit2022-01-10 10:26
陳景文：高性能深紫外
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陳景文：高性能深紫外
《高性能深紫外UVC-LED研發及應用產業化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長清單位：武漢光電國家研究中心，華中科技大學，湖北深紫科技有限公司
18000
limit2022-01-10 10:23
郭煒：III族氮化物極
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郭煒：III族氮化物極
《III族氮化物極性調控在光電子及電力電子器件中的新應用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所，廈門大學
19400
limit2022-01-10 10:22
朱海：寬禁帶半導體微
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朱海：寬禁帶半導體微
《寬禁帶半導體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學
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limit2022-01-10 10:21
陸文強：一維ZnGa2O4
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陸文強：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網薄膜材料橫向制備及其光電響應研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強單位：中國科學院重慶綠色智能技術研究院
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limit2022-01-07 15:02
Jiaying Shen: Band o
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Jiaying Shen: Band o
Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
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limit2022-01-07 15:01
張文輝：升華法生長β
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張文輝：升華法生長β
《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學微電子學院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學電子科學與工程學院，廈門大學
21800
limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
780
穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學晶體材料國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
18400
limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
880
張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學，中國科學院半導體研究所
8800
limit2022-01-07 14:21
朱志甫：10BN中子探測
980
朱志甫：10BN中子探測
《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術學院，東華理工大學
9800
limit2022-01-07 14:20
Jiaxiang Chen: Elect
1600
Jiaxiang Chen: Elect
Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
16000
limit2022-01-07 14:19
張輝：氧化鎵晶體的生
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張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室，浙江大學杭州國際科創中心
25300
limit2022-01-07 14:18
唐寧：氮化鎵量子阱中
1740
唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
17400
limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
660
徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質pn結的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學電子與信息工程學院光電材料與技術國家重點實驗室
6600
limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號
840
張亞民：基于脈沖信號
《基于脈沖信號導通延遲的SiC MOSFET結溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業大學
8400
limit2022-01-07 13:49
劉紅輝：光照下AlGaN/
1700
劉紅輝：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN異質結溝道中載流子的輸運過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風格，任遠，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚，張佰君單位：中山大學電子與信息工程學院
17000
limit2022-01-07 13:47
劉少煜：一種通過提高
3340
劉少煜：一種通過提高
《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學院上海微系統與信息技術研究所
33400
limit2022-01-07 13:35
張赫朋：室溫1.04 mA/
1340
張赫朋：室溫1.04 mA/
《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學微電子學院
13400
limit2022-01-07 13:34

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