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丹麥科技大學教授歐海燕SiC白光發(fā)射主題報告；報告中指出，碳化硅（SiC）是寬間接帶隙半導體，發(fā)光效率低。 但這種材料除了豐富之外，還具有非常獨特的物理性能，如良好的導熱性，高擊穿電場等。 因此，研究其發(fā)光性能是非常有意義的，以便充分利用這種材料。 在這個演講中，介紹兩種方法，即通過施主-受主對摻雜SiC以及用制造多孔SiC的方法來制造發(fā)光的SiC。通過氮與硼共同重摻雜SiC，以證明有強烈的黃光發(fā)出。 之后，在優(yōu)化鈍化條件之后，多孔SiC發(fā)射強藍綠色的光也被證明。當發(fā)黃光的共摻雜SiC和發(fā)藍綠光的多孔Si

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產率的碳化硅同質外延的程序在大容量生產反應器當中的表現主題報告。他表示，用于高產量生產的高增長率SiC同質外延工藝生長的大容量生產反應器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產領域對于生產廠家來說是一個好事，那么同時它這個結果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現出來。預計2018年這種全面的自動化技術的使用，會使得我們整個產業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現一個產品化，目前提供可生產性基本滿足產品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產品。

該視頻為：超凡數據與咨詢事業(yè)部檢索業(yè)務高級總監(jiān)馬志勇主講的《SiC國際知名企業(yè)專利布局策略與競合動向》報告。 他表示：“研發(fā)者首先要注重和用專利，注意你的核心技術你的專利，要用拳頭保護咱們的產品。要用專利的挖掘與布局來保護我們的產品和研發(fā)。并且通過專利分析可以找到合作者，補全我們產業(yè)鏈的一環(huán)，增強實力。這些巨頭是一個競爭，我們要關注它的專利，規(guī)避我們的風險，通過專利分析這些東西都是潛在可能的。”

該視頻為：日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包

大連理工大學王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進一步的研究工作進展。并把下一步的工作和進一步實用化的相關內容，包括產業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細介紹。并介紹了核心的鈍化技術，比較獨特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術之上，所以這個測試比較強。