北京大學陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質。測量了電致發光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20m紫外線導致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應。并介紹了超高注入機理。
OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎研發部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能
藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University
基于MOVPE技術生長GaN表面的原位相干X射線研究 In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN鞠光旭美國亞利桑那州立大學助理教授 GuangxuJUAssistant Research Professor of Arizona State University, USA
