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Tibor GRASSER教授：P
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Tibor GRASSER教授：P
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學微電子研究所所長、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria
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guansheng2023-05-22 13:45
中國電子科技集團首席
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中國電子科技集團首席
SiC功率MOSFET技術及應用進展柏松中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
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guansheng2023-05-19 09:39
北京衛(wèi)星制造廠有限公
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北京衛(wèi)星制造廠有限公
GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛(wèi)星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd
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guansheng2023-05-19 09:08
錦浪科技技術研究中心
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錦浪科技技術研究中心
SiC功率器件在光伏逆變器中的應用進展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
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guansheng2023-05-19 09:07
博湃半導體市場銷售總
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博湃半導體市場銷售總
用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監(jiān)ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 09:04
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
西安電子科技大學微電
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西安電子科技大學微電
SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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limit2022-05-01 17:18
大連理工大學教授王德
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大連理工大學教授王德
SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
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limit2022-05-01 10:00
中電科四十八所半導體
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中電科四十八所半導體
SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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limit2022-05-01 09:57
欣銳科技董事長吳壬華
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欣銳科技董事長吳壬華
SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
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limit2022-05-01 09:54
復旦大學特聘教授張清
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復旦大學特聘教授張清
SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
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limit2022-05-01 09:48
瑞典皇家理工學院教授
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瑞典皇家理工學院教授
用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden
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limit2022-01-31 13:50
邱宇峰：18 kV SiC IG
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邱宇峰：18 kV SiC IG
《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰廈門大學講座教授國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院
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limit2022-01-13 09:54
Jiaying Shen: Band o
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Jiaying Shen: Band o
Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
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limit2022-01-07 15:01
張亞民：基于脈沖信號
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張亞民：基于脈沖信號
《基于脈沖信號導通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學
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limit2022-01-07 13:49
劉少煜：一種通過提高
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劉少煜：一種通過提高
《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所
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limit2022-01-07 13:35
鄭偉：4H-SiC、GaN和
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鄭偉：4H-SiC、GaN和
《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學材料學院，國家光電材料與技術國家重點實驗室
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limit2022-01-07 13:32
李天義：SiC紫外單光
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李天義：SiC紫外單光
《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 10:26
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
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楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）微電子與集成電路系，廈門大學物理科學與技術學院物理系
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limit2022-01-07 10:23
余燁：面向長波長LED
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余燁：面向長波長LED
《面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學電子科學與工程學院
17500
limit2022-01-06 10:56

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