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GaN基光電材料外延與MOCVD反應腔結構關聯性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國科學院半導體研究所副研究員、中科重儀半導體聯合創始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.

使用MOCVD生長的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龍中電科十三所基礎研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute

用于藍綠光Mini/Micro-LED生產的MOCVD新型裝備Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陳耀中微公司MOCVD工藝總監Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學院半導體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

當前，人們對于綠色、環保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發展，公共衛生風險對人口流動和經濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發公共衛生風險的重要性不言而喻。基于第三代半導體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節能環保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優勢，成為維護公共衛生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產業發展的新藍海，雙碳戰略也給包括紫外LED產業在內的綠色環保節能產

第三代半導體材料在不同領域的應用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應用又迎來了一波新的發展機遇，作為應用的支撐，技術的發展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領的團隊在氮化物半導體基顯示技術方面的最新研究及成果。報告結合Micro-LED的優勢與挑戰，從外延結構設計、芯片制備、全彩化方案、系統集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發現和研究

寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構，因而表現出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統深入地研究，相關的理論體系得以建立，諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發。會上，王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享，報告結合具體的數據

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技

常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優勢，在眾多領域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發熱量大及光束質量差的問題。光電性能差是限制其應用的關鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關鍵技術及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業界中青代骨干

主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業界中青代骨干

零回滯氧化鎵光電晶體管 從光電導效應到光柵效應譚鵬舉，鄒燕妮，趙曉龍*，侯小虎，張中方，丁夢璠，于舜杰，馬曉蘭，徐光偉，胡芹*，龍世兵中國科學技術大學

氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學

基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測性能馬淑芳*，劉松，韓斌，尉國棟，董浩琰，牛艷萍，郝曉東，許并社陜西科技大學

氧化鎵半導體器件龍世兵*，徐光偉，趙曉龍，侯小虎中國科學技術大學

基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質結與pn結耦合增強型自驅動紫外探測器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學

n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質外延焦騰，陳威，李政達，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學

NiO/-Ga2O3p+-n異質結二極管深能級缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學