日韩操人,超碰人人插,久久久久久九九九九九九

首頁 > 視頻 > 搜索

日本NTT基礎研究實驗
4560
日本NTT基礎研究實驗
氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
45600
IFWS2025-01-09 14:25
中國科學院蘇州納米所
4440
中國科學院蘇州納米所
氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展及面臨的挑戰Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
44400
IFWS2025-01-09 14:24
中電科四十六所新材料
5770
中電科四十六所新材料
氮化鋁單晶材料研究進展與應用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國電子科技集團第四十六所新材料研發中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute
57700
IFWS2025-01-09 14:21
思體爾總經理LAMBRINA
12110
思體爾總經理LAMBRINA
基于量產的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.
121100
IFWS2025-01-09 14:20
士蘭微電子功率系統應
11220
士蘭微電子功率系統應
高性能SiC解決方案賦能新一代主驅應用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統應用技術高級經理
112200
IFWS2025-01-09 14:19
芯聚能半導體總裁周曉
11120
芯聚能半導體總裁周曉
碳化硅產業的機遇與挑戰周曉陽廣東芯聚能半導體有限公司總裁
111200
IFWS2025-01-09 14:17
英飛凌主任工程師張浩
2120
英飛凌主任工程師張浩
英飛凌最新車規SiC產品與應用張浩英飛凌科技（中國）有限公司主任工程師
21200
IFWS2025-01-09 14:16
安世半導體中國區SiC
4250
安世半導體中國區SiC
安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發展的助推器王駿躍安世半導體中國區SiC戰略及業務負責人
42500
IFWS2025-01-09 14:13
中車科學家劉國友：軌
5600
中車科學家劉國友：軌
軌道交通SiC功率器件研究與應用進展劉國友株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任
56000
IFWS2025-01-09 14:12
長城汽車投資總監耿偉
5560
長城汽車投資總監耿偉
國產化芯片機會和長城汽車布局耿偉長城汽車投資總監
55600
IFWS2025-01-09 14:11
艾姆希半導體銷售總監
5630
艾姆希半導體銷售總監
第四代半導體材料平坦化研究進展Research Progress on Planarization of Fourth Generation Semiconductor Materials趙志強北京艾姆希半導體科技有限公司銷售總監ZHAO ZhiqiangSales Director of MCF Technologies Ltd.
56300
IFWS2025-01-09 14:07
弗吉尼亞理工大學電力
5550
弗吉尼亞理工大學電力
面向的Ga2O3功率器件應用：封裝、魯棒性和多維器件Ga2O3Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices張宇昊弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授ZHAGN YuhaoAssociate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech
55500
IFWS2025-01-09 14:06
大連理工大學副教授張
5620
大連理工大學副教授張
氧化鎵中缺陷擴展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology
56200
IFWS2025-01-09 14:04
深圳平湖實驗室第四代
5830
深圳平湖實驗室第四代
超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
58300
IFWS2025-01-09 14:02
南京大學教授葉建東:
4380
南京大學教授葉建東:
氧化鎵高導熱異質集成射頻器件High Thermal Conductivity Heterogeneous Integrated RF Devices for Ga?O?葉建東南京大學教授YE JiandongProfessor of Nanjing University
43800
IFWS2025-01-09 14:01
皇家墨爾本大學微納研
4440
皇家墨爾本大學微納研
基于液態金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龍皇家墨爾本大學微納研究院研究員XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University
44400
IFWS2025-01-09 13:57
哈爾濱工業大學（深圳
5580
哈爾濱工業大學（深圳
氧化鎵材料和電子器件的熱特性Thermal Characteristics of Ga2O3Materials and Electronic Devices孫華銳哈爾濱工業大學（深圳）教授，理學院副院長SUN HuaruiProfessor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen
55800
IFWS2025-01-09 13:56
鎵和半導體李山:氧化
5560
鎵和半導體李山:氧化
氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發總監LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
55600
IFWS2025-01-09 13:53
日本京都大學教授Naok
10790
日本京都大學教授Naok
太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan
107900
guansheng2023-05-22 15:27
西安電子科技大學王鵬
9610
西安電子科技大學王鵬
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University
96100
guansheng2023-05-22 15:22

av免费国产_美女一级_丰满少妇在线观看网站_日本孕交_亚洲精品久久久_国产精华一区二区三区

相關搜索