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日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展》技術報告。敖金平博士1989年畢

本期嘉賓蘇州能訊高能半導體有限公司總經理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產業發展》

極智報告|日本理化所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|華中科技大學張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態微波毫米波器件的研發工作。作為項目負責人，主持開發了基于0.1um G

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

英國布里斯托大學教授Martin KUBALL做了關于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術的報告，具體介紹了該技術的研究背景，并結合相關數據，介紹了該技術的研究成果，及未來的一些應用領域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發展勢頭很強勁，當前，通訊、雷達等應用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎上的，隨著數據化的發展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當前開發GaN-on-Diamon

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

中國科學院半導體研究所固態照明研發中心張連分享“選擇區域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區域再生長基底層和發射極層。通過使用選擇

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

德國ALLOS Semiconductors GmbH市場總監Alexander LOESING帶來“無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實現低漏電流”報告。 “我們已經在（111）硅襯底上通過MOVPE生長了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經通過增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時，已經可以展示進一步提高晶體質量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過優化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的

蘇州納維科技有限公司任國強博士分享“探索氮化物半導體的新應用”主題報告

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數和熱膨脹系數（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業的Si功率器件，GaN器件應當設計為增強型（e-mode），并通過低成本，

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術報告。

北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在 優化的HEMT結構上實現了高性能的增強型GaN MOSHEMT。

韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發光二極管器件可靠性特性分析方法技術報告。他表示，發光二極管（LED）技術已經迅速發展以滿足LED應用領域的各種需求，如汽車照明，手術照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個體和外部誘導的退化因素、復雜因素和觸發因子等方面進行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN 介紹了石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長。2005年以來，Helge WEMAN在NTNU領導著一個科研小組研究用于光電應用程序的iii-v族半導體納米線和石墨烯。2012年6月........

美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應用GaN納米結構的局部應變工程技術。Pei-Cheng Ku自2012年起，成為美國密歇根大學電機工程與計算機系副教授。現在KU教授的研究專注在“節能光電”，具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！