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集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統的最佳選擇。然而，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。