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SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術(shù)A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學(xué)教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

《濺射中痕量氧氣對高溫退火AlN模板的極性調(diào)節(jié)作用》作者：劉志彬，郭亞楠，閆建昌，曾一平，李晉閩，王軍喜單位：中國科學(xué)院半

《基于高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波