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用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長(zhǎng)230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開(kāi)發(fā)研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹(shù)日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

藍(lán)寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強(qiáng)北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長(zhǎng)WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University

利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍(lán)寶石襯底上優(yōu)化生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長(zhǎng)High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學(xué) Mussaab I. NIASSZhengzhou University

鄭州大學(xué)教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍(lán)寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延研究的報(bào)告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀(guān)結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在A(yíng)lN上的生長(zhǎng)模型等研究?jī)?nèi)容。研究成功證明了通過(guò)脈沖模式MOVPE在A(yíng)lN模板上直接生長(zhǎng)單晶多層h-BN，在A(yíng)lN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長(zhǎng)模型，然后在A(yíng)lN上進(jìn)行h-BN的二維橫向生長(zhǎng)。

乾照光電目前是國(guó)內(nèi)比較領(lǐng)先的紅光制造商，來(lái)自乾照光電股份有限公司技術(shù)副總監(jiān)陳凱軒分享了“藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報(bào)告。他首先介紹了藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝。 此外他表示，目前主流的會(huì)議室或者是戶(hù)外主流使用的顯示技術(shù)是LED、DLP、LCD三種，這三種顯示技術(shù)LED是主動(dòng)式的發(fā)光，相對(duì)于另外兩種被動(dòng)式的發(fā)光，它的對(duì)比度，還有它顯示效果要更加的優(yōu)異，現(xiàn)在基本上在戶(hù)內(nèi)、戶(hù)外的顯示都是逐步被LED取代。另外一個(gè)很重要的區(qū)別，DLP、LCD的拼接模塊

北京大學(xué)教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍(lán)寶石襯底通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)藍(lán)綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過(guò)低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)得到。首先在成核層上進(jìn)行兩步法高溫生長(zhǎng)GaN模板，接著在模板上生長(zhǎng)青光LED，波長(zhǎng)為490nm。通......請(qǐng)您在WIFI條件下觀(guān)看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀(guān)看！