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  • 蘇州大學教授董建飛:
    紅到紅外波段的三種光療在減少由受損線粒體誘導的氧化應激方面的效果研究Efficacy of Three red-NIR Wavelengths in Reducing Oxidative Stress Induced by Impaired Mitochondrial Functions董建飛蘇州大學教授DONG JianfeiProfessor of Suzhou University
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    SSLCHINA2025-01-09 14:48
  • 中科院蘇州納米所研究
    硅襯底GaN基光電材料外延生長Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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    IFWS2025-01-09 14:41
  • 中國科學院蘇州納米所
    氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展及面臨的挑戰Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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    IFWS2025-01-09 14:24
  • 中科院蘇州納米所助理
    功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-22 15:12
  • 南京大學蘇州校區集成
    InGaN基紅色發光二極管：從傳統LED到Micro-LEDInGaN-based red light-emitting diodes: from traditional to micro-LEDs莊喆南京大學蘇州校區集成電路學院助理教授ZHUANG ZheAssistant Professor for School of Integrated Circuits in Nanjing University Suzhou Campus
    85500
    guansheng2023-05-22 14:11
  • 中國科學院蘇州納米所
    氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
    98500
    guansheng2023-05-22 10:07
  • 中國科學院蘇州納米所
    室溫紫外GaN微盤激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志偉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS
    102900
    guansheng2023-05-19 14:54
  • 蘇州大學功能納米與軟
    鈣鈦礦LED晶體結構穩定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學功能納米與軟物質研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University
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    guansheng2023-05-19 13:51
  • 中國科學院蘇州生物醫
    藍光照射對四種不同人體細胞活性的影響研究Impact of blue light irradiation on the viability of four types of human cells董建飛中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所研究員DONG JianfeiProfessor of Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology, CAS
    66700
    guansheng2023-05-19 09:32
  • 中國科學院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
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    guansheng2022-09-09 15:53
  • 中科院蘇州納米所孫錢
    硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
    55400
    guansheng2022-09-01 13:42
  • 中科院蘇州納米所郭小
    1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
    67600
    guansheng2022-09-01 12:50
  • 【視頻報告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優良的性能而在基礎工業領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景。基礎工業應用要求的超長連續工作壽命及可能的外部惡劣工作環境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統工程，從產品設計，工藝開發，器件生產，到最終篩選測試，每一個環節都按嚴格的程序進行，確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】中
    中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所研究員董建飛分享《用于刺激細胞的LED燈的設計》報告。他表示，人體細胞如何響應LED光的刺
    000
    limit2021-04-29 12:10
  • 【視頻報告 2019】蘇
    報告嘉賓：蘇州晶湛半導體有限公司市場總監朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應用的硅基氮化鎵技術》
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    limit2021-04-29 10:26
  • 【視頻報告 2019】中
    報告嘉賓：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報告：《銻化物半導體材料及器件》
    100
    limit2021-04-29 10:24
  • 中科院蘇州醫工所王天
    來自中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所王天峰分享了《LED作為抗菌治療光源的實驗研究》主題報告。他于2015年畢業于中國科學技術大學精密儀器系。2017年畢業于紐約州立大學布法羅分校。現在是荷蘭代爾夫特理工大學的博士在讀，在蘇州醫工所學習工作。 他介紹，微生物感染是引起發病率和死亡率的最常見疾病之一。目前，主要的治療方法是使用抗生素藥物。但其副作用從發熱、惡心到主要過敏反應都不容忽視。 此外，日益增長的抗微
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    limit2020-03-18 10:56
  • 中國科學院蘇州醫工所
    中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所助理研究員李偉民分享了《基于LLLT多波長高能量密度LED光療系統設計》主題報告。報告中介紹了低水平光治療(LLLT)是一種快速發展的非侵入性治療技術，可以促進傷口愈合，緩解疼痛，消除炎癥。報告中介紹設計了一種體積小、輻照度高的家用多波長LED光療系統。基于科勒照明方法，我們設計了一種短焦距大視場透鏡對，鏡頭對的參數由Zemax設計。硬件電路采用STM32F104處理器作為控制器，采用恒流驅
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    limit2020-03-18 10:48
  • 極智報告|蘇州大學馮
    蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。
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    limit2025-04-04 20:11
  • 極智報告|中科院蘇州
    中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續波作用下，綠光LD的輸出功率為
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    limit2025-04-04 20:11
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