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  • 太原理工大學崔艷霞:
    碳化硅基窄帶紫外光電探測器崔艷霞*，李夢輝，胡鯤，耿路路，潘登，李國輝，王文艷，許并社太原理工大學
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    guansheng2022-09-01 12:05
  • 復旦大學張園覽：基于
    基于P區反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復旦大學Yuan-Lan ZHANGFudan University
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    limit2022-05-01 20:24
  • 啟迪半導體研發總監鈕
    第三代半導體碳化硅器件產業化關鍵技術及發展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應喜蕪湖啟迪半導體有限公司研發總監NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
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    limit2022-05-01 17:19
  • 美國俄亥俄州立大學教
    碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    67200
    limit2022-05-01 09:55
  • Victor VELIADIS：碳
    碳化硅大規模商業化：現狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執行官兼首席技術官、北卡羅萊納州立大學教授
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    limit2022-05-01 09:46
  • 徐現剛：碳化硅單晶襯
    《碳化硅單晶襯底的研究進展及發展趨勢》徐現剛 教授 山東大學
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    limit2022-01-11 17:24
  • Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16300
    limit2022-01-07 15:01
  • 吳帆正樹：碳化硅溝槽
    《碳化硅溝槽刻蝕技術研究進展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍，張園覽單位：復旦大學工程與應用技術研究院超越照明研究所
    12600
    limit2022-01-07 13:30
  • 李天義：SiC紫外單光
    《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
    16500
    limit2022-01-07 10:26
  • 劉興華：基于牛眼結構
    《基于牛眼結構微腔的碳化硅單光子發射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學深圳研究院，南京大學電子科學與工程學院
    11400
    limit2022-01-07 10:24
  • 楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
    《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）微電子與集成電路系，廈門大學物理科學與技術學院物理系
    35500
    limit2022-01-07 10:23
  • 楊敏：低硅三甲基鋁產
    《低硅三甲基鋁產品的開發》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
    32000
    limit2022-01-06 10:59
  • 王蓉：半導體碳化硅材
    《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院
    11500
    limit2022-01-06 10:21
  • 皮孝東：半導體碳化硅
    《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室
    15100
    limit2022-01-05 17:02
  • 馬騁：硅基氮化鎵外延
    《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
    24400
    limit2022-01-05 16:53
  • 劉建勛：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院
    26600
    limit2022-01-05 16:49
  • 孫錢：硅襯底GaN基激
    《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
    38300
    limit2022-01-05 15:36
  • 視頻報告 2017---功率
    美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm 的聯合創始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發展動態。 吳毅鋒表示寬禁帶技術對于電力、能源節約具有非常重要的意義。我們需要繼續發展功率元件，該領域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關重要。結合目前的發展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經
    99600
    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副總經理研發中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；
    156800
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；
    124700
    limit2021-04-29 12:26
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