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皮孝東：半導體碳化硅
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皮孝東：半導體碳化硅
《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室
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limit2022-01-05 17:02
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院
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limit2022-01-05 16:49
黃思溢：基于水平常壓
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黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學
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limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
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余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對ICP-MOCVD生長GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學與技術
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limit2022-01-05 11:25
趙見國：非極性(11-20
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趙見國：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長與研究》作者：趙見國，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴羽，張
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limit2022-01-05 11:22
宋文濤：液態(tài)銦氮化生
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宋文濤：液態(tài)銦氮化生
《液態(tài)銦氮化生長高質量氮化銦》作者：李凱，黃增立，劉爭暉，徐耿釗，韓廈，陳科蓓，張春玉，宋文濤，徐科單位：中國科學院蘇州
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limit2022-01-05 11:20
【視頻報告 2018】Kaz
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【視頻報告 2018】Kaz
特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內成功仿真AlGaN生長。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設計升級反應器。
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limit2021-04-29 12:24
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中微半導體設備（上海）有限公司副總裁MOCVD產品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產型MOCVD機臺設計及外延生長的挑
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limit2021-04-29 12:23
【視頻報告 2018】南
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【視頻報告 2018】南
【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數(shù)值模擬
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limit2021-04-29 12:23
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
LED的應用早已不限于植物，對魚類影響的研究也在繼續(xù)，中科院海洋所教授李賢做了LED光對海水魚類生長和代謝的影響的報告。
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limit2021-04-29 12:07
【視頻報告 2018】英
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【視頻報告 2018】英
世界農業(yè)正在向可持續(xù)性和資源利用效率創(chuàng)新驅動的新技術范式過渡。通過持續(xù)的智能、綠色和增長革命以及市場的新需求，這種新模式
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limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】北
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【視頻報告 2018】北
垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。
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limit2021-04-29 12:05
【視頻報告 2019】奧
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【視頻報告 2019】奧
奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)》。
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limit2021-04-29 11:04
【視頻報告 2019】鄭
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【視頻報告 2019】鄭
鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導層連續(xù)分級生長的深紫外納米線激光二極管光學約束優(yōu)化的研究成果。研
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limit2021-04-29 10:28
【視頻報告 2019】廈
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【視頻報告 2019】廈
廈門大學高娜帶來了題為可原子尺度精確調控的AlN/GaN結構分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了
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limit2021-04-29 10:27
美國Aymont Technolog
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美國Aymont Technolog
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limit2020-03-19 11:29
【視頻報告 2019】天
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【視頻報告 2019】天
報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術總監(jiān)劉春俊博士報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產業(yè)進展》
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limit2020-03-19 10:27
【視頻報告】俄羅斯ST
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【視頻報告】俄羅斯ST
碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
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limit2020-03-10 15:45
【視頻報告】廈門大學
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【視頻報告】廈門大學
報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
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limit2020-03-08 10:21
【視頻報告】美國倫斯
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【視頻報告】美國倫斯
美國智能照明工程技術研究中心主任、美國倫斯勒理工學院教授Robert F. KARLICEK分享了《針對葉菜利用動態(tài)光譜調節(jié)提升生長效率和營養(yǎng)水平：初期研究》主題報告。　　隨著LED技術的發(fā)展，可以同時優(yōu)化光照的光譜特性和動態(tài)特性，從而對植物生長產生有益的影響。本次講座將重點介紹LESA最近在使用定制光譜和脈沖光生長協(xié)議促進紅萵苣生長方面的一些工作，重點是提高植物生長速度和營養(yǎng)價值。光譜可以影響植物的整體生長效率和代謝副
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limit2020-03-01 15:42

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