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新加坡南洋理工大學(xué)何
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新加坡南洋理工大學(xué)何
C4鹽生植物的產(chǎn)量、光利用效率和營養(yǎng)品質(zhì)--馬齒莧在不同光照強度、光周期和日照積分下的室內(nèi)生長Yield, Light Use Efficiency and Nutritional Quality of C4 Halophyte Portulaca oleracea L. Grown Indoors under Different Light Intensities, Photoperiods and Daily Light Integrals何潔新加坡南洋理工大學(xué)教授HE JieProfessor of Nanyang Technological University, Singapore
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guansheng2023-05-18 11:47
中國農(nóng)業(yè)大學(xué)賀冬仙教
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中國農(nóng)業(yè)大學(xué)賀冬仙教
照強度與白色LED色溫對丹參種苗生長的影響Effects of lighting intensity and color temperature of white LED on growth of Salvia miltiorrhiza transplants賀冬仙中國農(nóng)業(yè)大學(xué)水利與土木工程學(xué)院教授HE DongxianProfessor of College of Water Resources and Civil Engineering, China Agricultural University
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guansheng2023-05-18 11:44
中國科學(xué)院蘇州納米技
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中國科學(xué)院蘇州納米技
常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
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guansheng2022-09-09 15:53
大連理工大學(xué)張赫之：
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大連理工大學(xué)張赫之：
兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國電子科技集團公司第四十六研究所
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guansheng2022-09-01 16:19
山東大學(xué)賈志泰：大尺
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山東大學(xué)賈志泰：大尺
大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:18
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
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中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術(shù)研究吳東海中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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guansheng2022-09-01 12:15
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
林科闖：大功率 GaN
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林科闖：大功率 GaN
大功率 GaN 藍(lán)綠激光器芯片設(shè)計、生長和制作林科闖總經(jīng)理三安光電股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
張文輝：升華法生長β
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張文輝：升華法生長β
《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
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limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:58
朱志甫：10BN中子探測
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朱志甫：10BN中子探測
《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
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limit2022-01-07 14:20
張輝：氧化鎵晶體的生
2610
張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
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limit2022-01-07 14:18
何云斌：ZnO多元合金
1750
何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:19
金雷:PVT法AlN單晶生
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金雷:PVT法AlN單晶生
《PVT法AlN單晶生長機理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國電子科技集團公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
張紀(jì)才：半極性AlN材
2040
張紀(jì)才：半極性AlN材
《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀(jì)才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:04
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
22700
limit2022-01-06 11:02
余燁：面向長波長LED
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余燁：面向長波長LED
《面向長波長LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
17600
limit2022-01-06 10:56
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
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張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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limit2022-01-06 10:26

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