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用于氮化鎵異質外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy

氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

氮化鋁單晶材料研究進展與應用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國電子科技集團第四十六所新材料研發中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute

超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。

上海大學教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質量氮化鋁模板材料表征分析。報告中介紹了使用Ult