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湯瀟：全溶液法沉積柔
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湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學，中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-07 14:21
張輝：氧化鎵晶體的生
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張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室，浙江大學杭州國際科創中心
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limit2022-01-07 14:18
唐寧：氮化鎵量子阱中
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唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
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徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質pn結的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學電子與信息工程學院光電材料與技術國家重點實驗室
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limit2022-01-07 13:50
葉建東：氧化鎵基雙極
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葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 11:41
張濤：MOCVD異質外延G
790
張濤：MOCVD異質外延G
《MOCVD異質外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國，程倩，馮倩，張雅超，張進成單位：西安電子科技大學微電子學院
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limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩相正交結
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李悅文：亞穩相正交結
《亞穩相正交結構-Ga2O3薄膜的異質外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-06 11:09
張文瑞：介穩態氧化鎵
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張文瑞：介穩態氧化鎵
《介穩態氧化鎵薄膜的外延生長與異質集成》作者：張文瑞單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所
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limit2022-01-06 10:26
李萬俊：超寬帶隙氧化
2200
李萬俊：超寬帶隙氧化
《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測器研究》作者：李萬俊，劉浩文，周樹仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學物理與電子工程學院，光電功能材料重慶市重點實驗室
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limit2022-01-06 10:08
歐欣：異質集成氧化鎵
1770
歐欣：異質集成氧化鎵
《異質集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學院上海微系統與信息技術研究所，西安電子科技大學
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limit2022-01-05 17:43
方志來：P型氮摻雜β-
2840
方志來：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復旦大學信息科學與工程學院，復旦大學光電研究院，工程與應用技術研究院
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limit2022-01-05 17:41
黃洪：單晶氧化鎵深紫
3140
黃洪：單晶氧化鎵深紫
《單晶氧化鎵深紫外探測器》作者：趙曉龍，穆文祥，賈志泰，徐光偉，胡芹，黃洪，陶緒堂，龍世兵單位：中國科學技術大學，山東大學
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limit2022-01-05 17:38
吳征遠：極高響應度與
1800
吳征遠：極高響應度與
《極高響應度與增益帶寬積的p型氧化鎵日盲探測器》作者：吳征遠，蔣卓汛，馬聰聰，張浩，葉建東，張國旗，康俊勇，張統一，方志來單位：復旦大學信息科學與工程學院、工程與應用技術研究院、南京大學電子科學與工程學院、廈門大學物理科學與技術學院上海大學材料基因組工程研究院
18000
limit2022-01-05 17:22
程其進：氧化鎵基日盲
2480
程其進：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學電子科學與技術學院，廈門大學化學與化學學院
24800
limit2022-01-05 17:20
劉增：Strategies of
2000
劉增：Strategies of
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，劉增，唐為華單位：北京郵電大學理學院，南京郵電大學電子與光學工程學院、微電子學院
20000
limit2022-01-05 17:14
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學
34300
limit2022-01-05 17:12
中國科學技術大學龍世
13170
中國科學技術大學龍世
131700
limit2020-02-01 10:50

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