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【芯友薈】對話爍科晶體總經理李斌，解鎖爍科晶體核心競爭力及大尺寸碳化硅襯底最新技術與產業發展思考！

顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展New Progress of Micro-LED Chip and Integration Technology for Display黃凱廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授HUANG KaiDeputy DeanProfessor of College of Physical Science and Technology, Xiamen University

氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國弗吉尼亞理工大學助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University

車載 MEMS 激光雷達解決方案及量產落地之最新進展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一徑科技有限公司副總裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd

第三代半導體材料在不同領域的應用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應用又迎來了一波新的發展機遇，作為應用的支撐，技術的發展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領的團隊在氮化物半導體基顯示技術方面的最新研究及成果。報告結合Micro-LED的優勢與挑戰，從外延結構設計、芯片制備、全彩化方案、系統集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發現和研究

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

GaN基肖特基功率器件研究新進展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展 郝躍 院士 西安電子科技大學

《GaN基肖特基功率器件研究新進展》作者：陳鵬單位：南京大學電子科學與工程學院

《GaN微波毫米波器件新進展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司

高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。

奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰》。

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現室溫下高電離率的體摻

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰

山東大學教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告，分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。