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碳化硅單晶缺陷研究及產業化進展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

-Ga2O3單晶的體晶生長與性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山東大學副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University

半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優勢，在眾多領域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發熱量大及光束質量差的問題。光電性能差是限制其應用的關鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關鍵技術及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

大尺寸高質量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學

山東大學教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告，分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。

山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術的介紹，分享了單晶金剛石生產技術方面的工作及成果。