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基于多邊形微腔的表面等離激元在LED中的發光增強效應Luminescence Enhancement Effect of Cavity Plasmonic based on Polygonal Microcavity in LED陳鵬南京大學教授CHEN PengProfessor of Nanjing University

基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質結與pn結耦合增強型自驅動紫外探測器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學

面向全GaN集成的高性能GaN基增強型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所

基于增強型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學

《GaN基增強型HEMT器件關鍵技術》作者：黃火林單位：大連理工大學光電工程與儀器科學學院

《BiVO4和WO3異質結增強GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陳志忠單位：北京大學

加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工

美國哈佛大學醫學院麻省總醫院黃櫻櫻在“碘化鉀增強抗菌劑光動力失活”報告時指出，目前耐藥菌已經成為醫學界很大的問題，根據報道估計在2050年的時候大概會有30億人會受到影響，自從1940年抗生素發明以來，就不斷有耐藥菌產生，我們又沒有辦法發掘新的抗生素，現在抗生素還是從真菌里面提取的。據估計到2050年的時候大概有1億人受到影響，遠遠就超過了癌癥對人生命的影響。其中，最受影響的地區我認為就是欠發達地區，比如像亞洲、中國、非洲和南美洲，這都是比較受影響的地方。 更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數和熱膨脹系數（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業的Si功率器件，GaN器件應當設計為增強型（e-mode），并通過低成本，