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  • 劉建勛：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長(zhǎng)研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
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    limit2022-01-05 16:49
  • 梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
    《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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    limit2022-01-05 16:06
  • 孫錢：硅襯底GaN基激
    《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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    limit2022-01-05 15:36
  • 龔政：氮化鎵基Micro-
    《氮化鎵基Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移及紅光芯片進(jìn)展》作者：龔政單位：廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    37800
    limit2022-01-05 13:22
  • 黃思溢：基于水平常壓
    《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長(zhǎng)與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學(xué)
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    limit2022-01-05 11:27
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
    34500
    limit2022-01-05 09:53
  • 黎大兵：AlN基寬禁帶
    《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體
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    limit2022-01-05 09:19
  • 【視頻報(bào)告 2018】明
    【極智報(bào)告】明朔光電副總經(jīng)理江維：基于石墨烯智慧路燈的道路大數(shù)據(jù)生態(tài)構(gòu)建與運(yùn)營
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    limit2021-04-29 12:32
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】廈
    廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測(cè)試》研究報(bào)告。他介紹說，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測(cè)目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時(shí)具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點(diǎn)。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測(cè)的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測(cè)試技術(shù)。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測(cè)器(PD)的報(bào)道。
    91700
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
    125300
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯(cuò)和耐久性的影響》；
    185400
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】敖
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】挪
    挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG
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    limit2021-04-29 12:19
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字
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    limit2021-04-29 12:18
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