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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)高壓能量系統(tǒng)的性能部門(mén)教授Rob ROSS做了關(guān)于基于浴盆曲線類(lèi)型和相似性的半導(dǎo)體批量性能的報(bào)告，帶來(lái)了其在

南昌大學(xué)方文卿教授帶來(lái)了《基于光的非視覺(jué)效應(yīng)重新梳理光與人類(lèi)的關(guān)系》學(xué)術(shù)報(bào)告。報(bào)告中重新組織光與人之間的關(guān)系，并指出照明

福州大學(xué)的林維明教授帶來(lái)了《基于APWM-PFM控制的降壓Cuk/LLC單級(jí)LED驅(qū)動(dòng)電路》主題報(bào)告。

陳雄斌研究員在報(bào)告中介紹了單向710Mbps傳輸VLC系統(tǒng)和對(duì)稱(chēng)的100Mbps互聯(lián)網(wǎng)接入系統(tǒng)。他表示，可見(jiàn)光通信這項(xiàng)無(wú)線光通信新技術(shù)比

田朋飛教授在報(bào)告中提出，并實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)了紅，綠和藍(lán)激光二極管(RGB-LD)混合的白光系統(tǒng)，來(lái)同時(shí)用于基于波分復(fù)用(WDM)的高速水下無(wú)

日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來(lái)了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報(bào)告。

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問(wèn)題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。

　　華信咨詢(xún)?cè)O(shè)計(jì)研究院有限公司副總經(jīng)理、總工程師朱東照做了題為5G發(fā)展推動(dòng)信息基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)改造的報(bào)告，分享了5G技術(shù)的進(jìn)展以及未來(lái)應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)。　　移動(dòng)邊緣計(jì)算（MEC）和網(wǎng)絡(luò)切片給了各行各業(yè)參與5G業(yè)務(wù)應(yīng)用的技術(shù)手段，5G與垂直行業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的深度結(jié)合進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。5G作為無(wú)線接入和連接技術(shù)，只有和人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、云計(jì)算（Cloud Computing）、大數(shù)據(jù)（Big Data）、邊緣計(jì)算（Edge Comput

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類(lèi)型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應(yīng)用于固化、水和空氣的凈化及醫(yī)療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測(cè)器在光刻、天文監(jiān)測(cè)以及國(guó)防預(yù)警等諸多領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。在適用于DUV和EUV探測(cè)的所有

報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

報(bào)告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶(hù)經(jīng)理李曜 報(bào)告主題：《針對(duì)未來(lái)GaAs/InP基激光器的外延大規(guī)模生產(chǎn)》

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員、光健康研究中心副主任董建飛帶來(lái)了解讀光治療領(lǐng)域的機(jī)遇與挑戰(zhàn)光治療的技術(shù)基礎(chǔ)、適應(yīng)癥與機(jī)理

中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所助理研究員李偉民分享了《基于LLLT多波長(zhǎng)高能量密度LED光療系統(tǒng)設(shè)計(jì)》主題報(bào)告。報(bào)告中介紹了低水平光治療(LLLT)是一種快速發(fā)展的非侵入性治療技術(shù)，可以促進(jìn)傷口愈合，緩解疼痛，消除炎癥。報(bào)告中介紹設(shè)計(jì)了一種體積小、輻照度高的家用多波長(zhǎng)LED光療系統(tǒng)。基于科勒照明方法，我們?cè)O(shè)計(jì)了一種短焦距大視場(chǎng)透鏡對(duì)，鏡頭對(duì)的參數(shù)由Zemax設(shè)計(jì)。硬件電路采用STM32F104處理器作為控制器，采用恒流驅(qū)

碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學(xué) Mussaab I. NIASSZhengzhou University

報(bào)告簡(jiǎn)介：基于深層瞬態(tài)光譜學(xué)的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

紫外LED因其在醫(yī)療、印刷、環(huán)境凈化等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景，近年來(lái)市場(chǎng)份額日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散熱問(wèn)題已經(jīng)成為制約紫外LED發(fā)展應(yīng)用的主要瓶頸之一。復(fù)旦大學(xué)副研究員劉盼分享了燒結(jié)銀芯片連接工藝與石墨烯覆銅基板對(duì)紫外LED封裝的熱模擬分析。劉盼2011年開(kāi)發(fā)了可調(diào)制光捕捉表面，顯著提升了薄膜硅基太陽(yáng)能電池效率。2012年至2016年，與荷蘭飛利浦照明緊密合作，共同研發(fā)了一款微縮體積照明封裝系統(tǒng)，