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報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經理兼技術總監劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產業進展》

報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰

中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統單晶金剛石微結構制備的報告。

山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術的介紹，分享了單晶金剛石生產技術方面的工作及成果。