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中國科學院半導體研究所高級工程師宋昌斌分享了《水產(chǎn)養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報告。他詳細闡述了LED光源對循環(huán)水養(yǎng)殖系統(tǒng)

《長治市第三代半導體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2019-2023）》（下稱規(guī)劃）正式發(fā)布。《規(guī)劃》結(jié)合當前節(jié)能環(huán)保紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導體照明，第三代半導體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機構(gòu)領(lǐng)導以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇盛大召開

極智報告|浙江大學電氣工程學院院長盛況分享《第三代半導體支撐交通強國建設(shè)》主題報告。請您點擊頁面頂端下載極智頭條APP，更多精彩學術(shù)報告免費看！

極智報告：特邀國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院院長郝建群分享《半導體照明產(chǎn)業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃與LED智慧照明發(fā)展》主題報告。

本期嘉賓無錫邑文電子科技有限公司總經(jīng)理廖海濤為大家?guī)怼栋雽w裝備主題報告（一）半導體二手裝備市場評估與翻新標準化》

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務院副總理李克強到中國科學院半導體所考察。了解半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

中國半導體照明網(wǎng)成立于2004年10月，是國家半導體照明工程唯一的網(wǎng)上信息門戶。網(wǎng)站自創(chuàng)建以來，一直以服務產(chǎn)業(yè)、引領(lǐng)行業(yè)、傳遞聲音的為自己的使命，伴隨著行業(yè)企業(yè)、LED人的成長，見證了整個中國半導體照明產(chǎn)業(yè)的成長歷程。在國家半導體照明工程協(xié)調(diào)領(lǐng)導小組辦公室指導和成員單位的大力支持下，經(jīng)過十幾年的發(fā)展，中國半導體照明網(wǎng)已成為行業(yè)最權(quán)威的綜合性服務平臺。 China Solid State Lighting (www.china-led.net), established in October 2004,

唐國慶：半導體照明發(fā)展空間很大，企業(yè)要憑自身勢力贏得競爭

國際半導體照明聯(lián)盟主席、科技部原副部長曹健林首先帶來了題為“不忘初心，砥礪奮進，擁抱第三代半導體新時代”的重要報告，高屋建瓴，從全球視角分析了當前第三代半導體發(fā)展的時代背景，面臨的機遇與挑戰(zhàn)，為我們展現(xiàn)了第三代半導體當前的發(fā)展狀況以及前沿趨勢信息。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導體功率模塊在新能源汽車中應用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學術(shù)報告任性看！

對話主題：半導體產(chǎn)業(yè)與交通融合發(fā)展 對話嘉賓（從左往右順序）：精進電動科技股份有限公司創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官蔡蔚、浙江大學電氣工程學院院長盛況、國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心籌備組組長原誠寅、科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司原司長趙玉海、軌道交通控制與安全國家重點實驗室首席教授賈利民、國家高速列車技術(shù)創(chuàng)新中心主任劉保明、中車長春軌道客車股份有限公司副總工程師常振臣。 更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學術(shù)報告免費看，任性看！

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術(shù)上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據(jù)應用設(shè)計出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報告。他表示，技術(shù)、成本和應用場景是照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時對照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的應用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價怎么降低成本

中國科學院半導體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調(diào)整晶核生長得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術(shù)報告。