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  • 京大學理學部副主任
    基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學理學部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
    324000
    IFWS2025-01-09 15:42
  • 方華創張軼銘:面向
    面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案NAURA Solutions for SiC Power Devices張軼銘北京北方華創微電子裝備有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd
    55800
    IFWS2025-01-09 15:05
  • 京大學第三醫院婦科
    LED光療在女性生殖健康中的臨床應用Clinical Applications of LED Phototherapy in Women's Reproductive Health吳章鑫北京大學第三醫院婦科主治醫師WU ZhangxinGynecologist of Peking University Third Hospital
    55600
    SSLCHINA2025-01-09 14:49
  • 中國科學院京納米能
    AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛國中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
    103400
    guansheng2023-05-22 15:02
  • 京理工大學教授鐘海
    藍光量子點電致發光的若干基礎問題研究Recent Progress on the Fundemental Research of Blue QD-LEDs鐘海政北京理工大學教授ZHONG Haizheng Professor of Beijing Institute of Technology
    97700
    guansheng2023-05-22 14:12
  • 京大學教授、大東
    藍寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強北京大學教授、北大東莞光電研究院院長WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University
    104300
    guansheng2023-05-22 13:59
  • 方華創第一刻蝕事業
    等離子刻蝕技術在第三代化合物半導體領域的應用Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field謝秋實北京北方華創微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業部副總經理XIE QiushiDeputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
    109900
    guansheng2023-05-22 13:49
  • 工業大學教授張紫
    GaN半導體垂直腔面激光器的仿真設計與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業大學教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology
    81600
    guansheng2023-05-22 13:32
  • 京大學聶靖昕:Addi
    Additional Light Components Decrease the Light Damage on Rats Retina聶靖昕北京大學NIE JingxiPeking University
    44600
    guansheng2023-05-22 11:51
  • 大學材料科學與工
    基于HfZrO2與b-Ga2O3異質結的高性能自驅動日盲紫外光探測器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明鍇湖北大學材料科學與工程學院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University
    81200
    guansheng2023-05-19 15:03
  • 大學何云斌教授:
    MgO(100)上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學教授HE YunbinProfessor of Hubei University
    113500
    guansheng2023-05-19 14:23
  • 京大學工學院特聘研
    超高熱導率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學工學院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
    131900
    guansheng2023-05-19 14:21
  • 控水務集團技術管理
    污水處理廠深紫外消毒設計及應用進展Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants杜軍北控水務集團技術管理部水務經理Jon DUBeijing enterprise water group Limited
    83700
    guansheng2023-05-19 12:03
  • 京大學第六醫院黨衛
    光照治療提高抑郁發作患者的腦功能light therapy improves brain functioning of patients with depression黨衛民北京大學第六醫院(北京大學精神衛生研究所)精神科醫生、心理治療師DANG WeiminPsychiatristPsychotherapist Peking University Sixth Hospital (Peking University Institute of Mental Health)
    81900
    guansheng2023-05-19 09:23
  • 京衛星制造廠有限公
    GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd
    63400
    guansheng2023-05-19 09:08
  • 京大學副教授許福軍
    AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學物理學院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121900
    guansheng2023-05-19 08:51
  • 中國科學院京納米能
    寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構,因而表現出顯著的壓電特性,長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統深入地研究,相關的理論體系得以建立,諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發。會上,王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享,報告結合具體的數據
    201000
    guansheng2022-09-10 15:42
  • 京大學沈波教授:氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底,氮化物半導體主要通過異質外延,特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸,影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中,結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分
    180900
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 大學陳興馳:基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質結與pn結耦合增強型自驅動紫外探測器研究陳興馳,陳劍,樊啟賢,毛佳興,張忠輝,許雅俊,盧寅梅,何云斌*湖北大學
    75100
    guansheng2022-09-01 16:22
  • 大學何云斌:Ga2O
    Ga2O3三元合金設計及其日盲紫外光電探測器研究王其樂,瞿秋琳,陳劍,黎明鍇,盧寅梅,何云斌*湖北大學
    97500
    guansheng2022-09-01 16:16
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