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RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現(xiàn)有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加。現(xiàn)有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了

加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工

加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設計和TCAD模擬》研究報告。早年經(jīng)華人諾獎得主李政道博

加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通...