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劉增：Strategies of
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劉增：Strategies of
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，劉增，唐為華單位：北京郵電大學(xué)理學(xué)院，南京郵電大學(xué)電子與光學(xué)工程學(xué)院、微電子學(xué)院
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limit2022-01-05 17:14
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測(cè)器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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limit2022-01-05 17:12
朱昱豪：基于氮化鎵金
2680
朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院
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limit2022-01-05 17:11
汪洋：半導(dǎo)體用SiC涂
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汪洋：半導(dǎo)體用SiC涂
《半導(dǎo)體用SiC涂層石墨托盤的制備與國(guó)產(chǎn)化》作者：汪洋，萬(wàn)強(qiáng)單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
16500
limit2022-01-05 17:09
皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
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皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長(zhǎng)和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
15100
limit2022-01-05 17:02
袁昊：萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基
2190
袁昊：萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基
《萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基IGBT器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國(guó)人民解放軍空軍工程大學(xué)
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limit2022-01-05 17:00
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
4470
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-05 16:58
劉婷：Suppression of
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劉婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國(guó)浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來(lái)材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院
7800
limit2022-01-05 16:56
化夢(mèng)媛：常關(guān)型 GaN P
2080
化夢(mèng)媛：常關(guān)型 GaN P
《常關(guān)型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機(jī)理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢(mèng)媛，李玲玲，王成財(cái)，姜作衡單位：南方科技大學(xué)
20800
limit2022-01-05 16:54
馬騁：硅基氮化鎵外延
2440
馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
24400
limit2022-01-05 16:53
朱廣潤(rùn)：微波毫米波器
2330
朱廣潤(rùn)：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進(jìn)展》作者：張凱，朱廣潤(rùn)，代鯤鵬，賈晨陽(yáng)，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
23300
limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基Ga
2660
劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長(zhǎng)研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
26600
limit2022-01-05 16:49
馬曉華：面向終端應(yīng)用
2540
馬曉華：面向終端應(yīng)用
《面向終端應(yīng)用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學(xué)
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limit2022-01-05 16:45
馮志紅：氮化鎵高功率
3810
馮志紅：氮化鎵高功率
《氮化鎵高功率太赫茲源》作者：馮志紅單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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limit2022-01-05 16:38
Maocheng Shan：Trans
700
Maocheng Shan：Trans
Transverse electric lasing at record short wavelength 244.63 nm from GaN quantum wells with weak exciton localizationAuthor：Maocheng Shan, Yi Zhang, Xiaohang Li, Changqing ChenInstitute：Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
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limit2022-01-05 16:16
蔣迪：金屬雙面鏡高性
1710
蔣迪：金屬雙面鏡高性
《金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機(jī)制的研究》作者：蔣迪，陶濤，智婷，劉斌，張榮，鄭有炓單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、南京郵電大學(xué)
17100
limit2022-01-05 16:08
梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
1170
梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-05 16:06
劉建平：大功率氮化鎵
3960
劉建平：大功率氮化鎵
《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
39600
limit2022-01-05 15:57
云峰：Lasing charact
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云峰：Lasing charact
Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavityAuthor/作者：Feng Yun（云峰）, Peng Hu（胡朋）,Yufeng Li（李虞鋒）, Qiang Li（李強(qiáng)）,Ye Zhang(張燁)Institute：Shaanxi Provincial Key Laboratory of PhotonicsInformation Technology, Xian Jiaotong University
8700
limit2022-01-05 15:49
孫錢：硅襯底GaN基激
3830
孫錢：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
38300
limit2022-01-05 15:36

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