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《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰 廈門大學講座教授 國家電網全球能源互聯網研究院

Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《基于脈沖信號導通延遲的SiC MOSFET結溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業大學

《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學院上海微系統與信息技術研究所

《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學材料學院，國家光電材料與技術國家重點實驗室

《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院

《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）微電子與集成電路系，廈門大學物理科學與技術學院物理系

《面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學電子科學與工程學院

《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室

《半導體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產化》作者：汪洋，萬強單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業大學材料科學與工程學院

《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學，中國人民解放軍空軍工程大學

Atomic layer deposition of AlN on 4H-SiCAuthor: Feng Zhang, Zhanwei Shen, Jun ChenInstitute: Xiamen University, Institut