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《GaN基增強型HEMT器件關鍵技術》作者：黃火林單位：大連理工大學光電工程與儀器科學學院

NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學電子科學與工程學院

《肖特基p型柵結構GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學電子與信息工程學院，工業和信息化部電子第五研究所

Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學未來材料系統研究所，名古屋大學電子學系，北京化工大學數理學院

《常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學