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楊敏：低硅三甲基鋁產
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楊敏：低硅三甲基鋁產
《低硅三甲基鋁產品的開發》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
梅洋：GaN基VCSEL技術
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梅洋：GaN基VCSEL技術
《GaN基VCSEL技術進展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學微電子與集成電路系微納光電子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孫海定：AlGaN基紫外
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孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發光和新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學
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limit2022-01-06 10:30
王蓉：半導體碳化硅材
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王蓉：半導體碳化硅材
《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院
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limit2022-01-06 10:21
劉清：基于SiC厚膜的
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劉清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室
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limit2022-01-06 10:17
黎明鍇：基于二氧化錫
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黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強，張興業，陳粵，何云斌單位：湖北大學材料科學與工程學院
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limit2022-01-05 17:27
程其進：氧化鎵基日盲
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程其進：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學電子科學與技術學院，廈門大學化學與化學學院
24800
limit2022-01-05 17:20
朱昱豪：基于氮化鎵金
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朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院
26800
limit2022-01-05 17:11
袁昊：萬伏級4H-SiC基
2190
袁昊：萬伏級4H-SiC基
《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學，中國人民解放軍空軍工程大學
21900
limit2022-01-05 17:00
馬騁：硅基氮化鎵外延
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馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-05 16:53
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院
26600
limit2022-01-05 16:49
梁鋒：GaN基大功率藍
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梁鋒：GaN基大功率藍
《GaN基大功率藍光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-05 16:06
孫錢：硅襯底GaN基激
3830
孫錢：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
38300
limit2022-01-05 15:36
龔政：氮化鎵基Micro-
3780
龔政：氮化鎵基Micro-
《氮化鎵基Micro-LED巨量轉移及紅光芯片進展》作者：龔政單位：廣東省科學院半導體研究所
37800
limit2022-01-05 13:22
黃思溢：基于水平常壓
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黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學
25400
limit2022-01-05 11:27
陳荔：基于高溫熱退火
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陳荔：基于高溫熱退火
《基于高溫熱退火技術的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春單位：中國科學院寧波
21800
limit2022-01-05 11:02
許福軍：AlGaN基深紫
3450
許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學物理學院
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limit2022-01-05 09:53
黎大兵：AlN基寬禁帶
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黎大兵：AlN基寬禁帶
《AlN基寬禁帶半導體缺陷調控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體缺陷調控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體
40100
limit2022-01-05 09:19

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