碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University
報告簡介:基于深層瞬態光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結構缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學院半導體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
美國智能照明工程技術研究中心主任, 美國倫斯勒理工學院教授Robert F. KARLICEK做了題為 LED和LED封裝的未來趨勢的主題報告,探討了一些可能性,包括未來的城市照明需求、照明和視頻的融合可能性、以及其他LED照明系統在未來的應用。 Robert F. KARLICEK教授有超過25年與產業領頭人(包括ATT Bell Labs、EMCORE、通用電氣、Gore Photonics和Microsemi)合作進行光電器件的研究、研發、和制造的經驗。他的主要研究重點是開發了固態
美國智能照明工程技術研究中心主任、美國倫斯勒理工學院教授Robert F. KARLICEK分享了《針對葉菜利用動態光譜調節提升生長效率和營養水平:初期研究》主題報告。 隨著LED技術的發展,可以同時優化光照的光譜特性和動態特性,從而對植物生長產生有益的影響。本次講座將重點介紹LESA最近在使用定制光譜和脈沖光生長協議促進紅萵苣生長方面的一些工作,重點是提高植物生長速度和營養價值。光譜可以影響植物的整體生長效率和代謝副