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加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業化發展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban

大直徑碳化硅外延市場發展與挑戰Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial張國良河北普興電子科技股份有限公司市場總監ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD

碳化硅單晶缺陷研究及產業化進展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University

硅晶圓廠中的SiC制造SiC Fabrication in a Silicon FabVictor VELIADIS美國電力執行董事 CTO、ICSCRM2024大會主席、北卡羅來納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW

碳化硅產業的機遇與挑戰周曉陽廣東芯聚能半導體有限公司總裁

安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發展的助推器王駿躍安世半導體中國區SiC戰略及業務負責人

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術進展及應用田亮南瑞聯研半導體有限責任公司碳化硅產品線負責人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd

Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規級功率模塊用高性價比解決方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module張靖賀利氏電子中國區研發總監ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics

電熱應力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚東南大學教授LIU SiyangProfessor of Southeast University

氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術與產業化應用陸海鎵敏光電董事長、南京大學教授LU HaiProfessor of Nanjing University

碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業部中國區總監Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

基于P區反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復旦大學Yuan-Lan ZHANGFudan University

第三代半導體碳化硅器件產業化關鍵技術及發展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應喜蕪湖啟迪半導體有限公司研發總監NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

碳化硅大規模商業化：現狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執行官兼首席技術官、北卡羅萊納州立大學教授

美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm 的聯合創始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發展動態。 吳毅鋒表示寬禁帶技術對于電力、能源節約具有非常重要的意義。我們需要繼續發展功率元件，該領域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關重要。結合目前的發展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經

株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副總經理研發中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；

瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；