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最新高性能SiC MOSFET技術助力未來SiC市場的發展趨勢The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan

氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

英飛凌最新車規SiC產品與應用張 浩英飛凌科技（中國）有限公司主任工程師

太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

車載 MEMS 激光雷達解決方案及量產落地之最新進展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一徑科技有限公司副總裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd

SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。