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上?？萍即髮W信息學院
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上?？萍即髮W信息學院
基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術王浩宇上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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guansheng2023-05-19 09:09
沛塬電子市場產品總監
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沛塬電子市場產品總監
基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應用Application of high frequency and high power module based on wide band gap device劉正陽上海沛塬電子有限公司市場產品總監Zhengyang LIUShanghai MetaPWR Electronics Co., LTD
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guansheng2023-05-19 09:06
北京大學副教授許福軍
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北京大學副教授許福軍
AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學物理學院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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guansheng2023-05-19 08:51
南京大學教授修向前：
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南京大學教授修向前：
基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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guansheng2023-05-18 16:18
復旦大學張園覽：基于
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復旦大學張園覽：基于
基于P區反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復旦大學Yuan-Lan ZHANGFudan University
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limit2022-05-01 20:24
【視頻報告 2018】基
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【視頻報告 2018】基
深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業化經驗。
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Vic
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【視頻報告 2018】Vic
美國電力副執行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】西
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【視頻報告 2018】西
西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】敖
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【視頻報告 2018】敖
日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】臺
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【視頻報告 2018】臺
【極智報告】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】日
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【視頻報告 2018】日
日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發展現狀的報告。
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limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】北
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【視頻報告 2018】北
垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。
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limit2021-04-29 12:05
【視頻報告 2019】河
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【視頻報告 2019】河
河北工業大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種
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limit2021-04-29 10:46
【視頻報告】英諾賽科
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【視頻報告】英諾賽科
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創辦了兩
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limit2021-04-26 15:05
美國NAURA-Akrion, In
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美國NAURA-Akrion, In
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型
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limit2019-12-31 13:02
英諾賽科科技有限公司
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英諾賽科科技有限公司
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創辦了兩
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limit2019-12-31 12:38
英諾賽科研發中心副總
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英諾賽科研發中心副總
英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統》研究報告
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limit2019-12-30 13:03
中國科學院微電子研究
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中國科學院微電子研究
中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；谛脱趸壦a的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。
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limit2018-02-01 10:49

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