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荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

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臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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【視頻報告 2018】株洲中車戴小平：多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊
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【視頻報告 2018】株洲中車戴小平：多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊
株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；
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limit2021-04-29 12:27
【視頻報告 2018】基本半導體張振中：高性能 3D SiC JBS 二極管
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【視頻報告 2018】基本半導體張振中：高性能 3D SiC JBS 二極管
深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業(yè)化經驗。
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Victor Veliadis教授：10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響
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【視頻報告 2018】Victor Veliadis教授：10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響
美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Mietek BAKOWSKI教授：WBG電力設備的現狀和采用前景
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【視頻報告 2018】Mietek BAKOWSKI教授：WBG電力設備的現狀和采用前景
瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉換系統在各種應用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術和設備研發(fā)領域的相關項目。
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Adolf SCH?NER：10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制
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【視頻報告 2018】Adolf SCH?NER：10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制
瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】P.S. RAGHAVAN教授：碳化硅襯底技術的最新進展
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【視頻報告 2018】P.S. RAGHAVAN教授：碳化硅襯底技術的最新進展
高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。
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limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】周達成教授：碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性
25700
【視頻報告 2018】周達成教授：碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性
美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】香港應科院袁述：新一代碳化硅矩陣變換器
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【視頻報告 2018】香港應科院袁述：新一代碳化硅矩陣變換器
矩陣轉換器被認為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發(fā)展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉
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limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】中電科電子裝備集團有限公司張叢：國產離子注入機發(fā)展及應用
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【視頻報告 2018】中電科電子裝備集團有限公司張叢：國產離子注入機發(fā)展及應用
中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術總監(jiān)張叢分享了《國產離子注入機發(fā)展及應用》主題報告。
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limit2021-04-29 12:24
【視頻報告 2018】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
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【視頻報告 2018】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
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limit2021-04-29 12:23
【視頻報告 2018】西安電子科技大學趙子越博士：基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
13170
【視頻報告 2018】西安電子科技大學趙子越博士：基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】敖金平教授：用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管
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【視頻報告 2018】敖金平教授：用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管
日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】蘇州能訊李元：以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
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【視頻報告 2018】蘇州能訊李元：以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎工業(yè)領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景。基礎工業(yè)應用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統工程，從產品設計，工藝開發(fā)，器件生產，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】中科院半導體研究所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器
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【視頻報告 2018】中科院半導體研究所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器
中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】河北半導體研究所李靜強高工:GaN 內匹配封裝器件仿真技術研究
8440
【視頻報告 2018】河北半導體研究所李靜強高工:GaN 內匹配封裝器件仿真技術研究
河北半導體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內匹配封裝器件仿真技術研究》主題報告。
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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【視頻報告 2018】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
【極智報告】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】四川益豐王祁鈺：100nm 和60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品
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【視頻報告 2018】四川益豐王祁鈺：100nm 和60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品
OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】日本名城大學副教授Motoaki IWAYA ：基于AlGaN 激光的發(fā)展現狀
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【視頻報告 2018】日本名城大學副教授Motoaki IWAYA ：基于AlGaN 激光的發(fā)展現狀
日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發(fā)展現狀的報告。
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limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】港科技大學陳敬教授：全GaN功率集成技術研究進展
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【視頻報告 2018】港科技大學陳敬教授：全GaN功率集成技術研究進展
集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統的最佳選擇。然而，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
90100
limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN：寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用
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【視頻報告 2018】AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN：寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用
一直以來，高功率密度電動汽車電力驅動系統是新一代大功率電動汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應用，將對新一代電動汽車的發(fā)展產生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用的報告，分享了目前的發(fā)展現狀及AIXTRON的策略。
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limit2021-04-29 12:05

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