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武漢大學(xué)研究員張召富：4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理

視頻IFWS > IFWS20222025-03-31 15:28

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稿件投訴

4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs張召富武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

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