蘇州能訊高能半導體有限公司 董事長 張乃千　　張乃千董事長技術出身，實力雄厚。1995年清華大學電子工程系本科畢業，2002年在加州大學圣塔巴巴拉分校獲得電子工程博士學位。在攻讀博士期間，他采用表面鈍化技術在業界率先解決了困擾氮化鎵（GaN）器件射頻功率輸出的電流崩塌效應，為氮化鎵微波器件的產業化鋪平了道路。他還開發出了世界上第一個氮化鎵電力電子器件，開啟了氮化鎵應用的新篇章和一個全新的產業。張乃千2002年在RFM