中國科學院半導體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質外延，初步實現了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調整晶核生長得到納米柱的結構，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的