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專題嚴選
擁抱新變化 聚焦國產化

2021功率半導體與車用LED技術創新應用論壇

 4月21日,在NEPCON China 2021(第三十屆中國國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間,由半導體產業網和勵展博覽集團共同主辦的“2021功率半導體與車用LED技術創新應用論壇”在上海世博展覽館成功舉辦,論壇得到第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)的指導,以及愛發科商貿(上海)有限公司、吉永商事株式會社、天津賽米卡爾科技有限公司、南京集芯光電技術研究院有限公司的大力支持。

綜合報道

2021功率半導體與車用LED技術創新應用論壇在上海成功召開

2021功率半導體與車用LED技術創新應用論壇在上海世博展覽館成功舉辦,論壇得到第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)的指導,以及愛發科商貿(上海)有限公司、吉永商事株式會社、天津賽米卡爾科技有限公司、南京集芯光電技術研究院有限公司的大力支持。

專家觀點

CASA秘書長于坤山:功率半導體器件技術發展現狀與前景展望

 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山分享了“功率半導體器件技術發展現狀與前景展望”的主題報告,詳細分享了功率半導體器件應用、技術發展現狀與趨勢。他表示,功率半導體已處于技術和產業發展的最佳時機,其在半導體產業中的份額將不斷增長,當前需要集中優勢資源,突破技術和產業化瓶頸,加速實現產業化,功率半導體材料和器件技術還在不斷的進步和發展,新材料、新工藝、新器件將不斷涌現。第三代半導體材料和器件,在電力變換與控制方面展現出優異的性能,將極大促進功率半導體技術和產業跨入新的、更高階段。

芯聚能半導體周曉陽:碳化硅功率模塊在新能源汽車中的應用

 廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽帶來了“碳化硅功率模塊在新能源汽車中的應用”的主題報告,分享了最新發展趨勢,相關封裝設計優化思路及工藝挑戰等。

一徑科技邵嘉平:激光雷達與自動駕駛最新發展

 北京一徑科技有限公司全球營銷副總裁邵嘉平做了“激光雷達與自動駕駛最新發展”的主題分享。其中,報告認為自動駕駛貨車商業模式清晰,有望超預期落地,無人駕駛出租車將在2025年前后達到成本拐點,AVP可率先實現高級別自動駕駛在城市場景的落地,無人末端配送有望快速落地封閉小區,企業園區等場景,帶來成本和效率的優化,礦區自動駕駛是需求剛性,高確定性的落地場景。自動駕駛用雷達也將有看得遠、看得廣、看得準等新的要求。

南京集芯光電雷建明:氮化鎵功率開關器件及其在超輕薄開關電源領域的應用研究

 南京集芯光電技術研究院有限公司技術總監雷建明做了題為“氮化鎵功率開關器件及其在超輕薄開關電源領域的應用研究”的主題報告,從器件、驅動、控制、拓撲電路等方面全方位提出解決方案,在實現超輕薄目標的基礎上,進一步提升產品的效率和工作可靠性。

德國賀利氏張靖:針對碳化硅功率模塊的先進封裝解決方案

 德國賀利氏電子中國區研發總監張靖帶來了“針對碳化硅功率模塊的先進封裝解決方案”的主題報告,詳細分享了一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。

寧波升譜尹輝:新能源車用LED封裝技術趨勢

 以LED車用照明、智能感測、健康智能照明、三代半UVC四大核心業務,堅持光科技,塑造健康智能新生活為使命的寧波升譜光電股份有限公司的副總經理尹輝出席論壇,并分享了“新能源車用LED封裝技術趨勢”的主題分享。

吉永商事陳海龍:量產型SiC功率器件背面工藝技術提案

 吉永商事株式會社社長陳海龍帶來了“量產型SiC功率器件背面工藝技術提案”,詳細分享了具有實踐意義的背面減薄技術提案與激光退火技術提案。

中電南方國基集團李士顏:功率碳化硅MOSFET芯片及模塊研究進展及應用

 中電南方國基集團有限公司高級工程師李士顏帶來了“功率碳化硅 MOSFET芯片及模塊研究進展及應用”的主題報告,他表示,國際上SiC功率器件市場化應用速度提升,在電動汽車、電源、軌道交通等領域的應用將進入爆發期,市場產值將急劇擴張,國內SiC功率器件迅速布局,技術進步迅速,自主芯片國產替代前景廣闊。大尺寸SiC襯底、SiCMOSFET技術成熟度仍需提高,SiCMOSFET器件應用技術提升是SiC市場的重要牽引。

ULVAC李茂林:碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產技術

 愛發科商貿(上海)有限公司市場總監李茂林做了題為“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產技術”的主題報告,分享了SiC功率器件制造過程中的ULVAC設備和技術整體解決方案,詳細說明了高溫離子注入技術、碳膜濺射技術及高溫退火技術是不同于硅基器件的特殊工藝制程。

晶湛半導體陳宇超:應用于功率器件的GaN外延片進展

 蘇州晶湛半導體科技有限公司的市場經理陳宇超帶來了“應用于功率器件的硅基GaN外延片進展”的主題報告,結合具體的數據分享了650V應用的D模和E模硅基GaN外延片的進展,并介紹了面向更高電壓/電流應用的多通道器件研究進展。

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