2025年4月29日，由廈門市三安集成電路有限公司牽頭起草的T/CASAS 057—202X《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》以及由蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司牽頭起草的T/CASAS 060—202X《功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片》已完成征求意見稿的編制，正式面向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個(gè)月。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2025年4月29日起開始征求意見，截止日期2025年5月29日。

征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。 

征求意見標(biāo)準(zhǔn)列表（No.2）

T/CASAS 057—202X《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》 

本文件規(guī)定了用于評估高頻開關(guān)應(yīng)用下（頻率≥100kHz）GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法，用以表征及評估GaN功率器件在連續(xù)開關(guān)應(yīng)力作用下器件的退化及失效，以確保其以快充適配器代表的典型應(yīng)用領(lǐng)域下穩(wěn)定運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整體性能的提升。 

本文件適用于進(jìn)行GaN 功率器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景。可應(yīng)用于以下器件：

1） GaN增強(qiáng)型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）分立功率電子器件；

2） GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件；

3） 以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。 

T/CASAS 060—202X《功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片》 

本文件規(guī)定了功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片的分類和標(biāo)記、要求、試驗(yàn)方法、檢測規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存。 

本文件適用于功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片。產(chǎn)品主要用于制作功率半導(dǎo)體及電子器件。