2025年4月29日，由北京華峰測控技術股份有限公司牽頭起草的3項SiC MOSFET技術標準已完成征求意見稿的編制，正式面向第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員單位征求意見，為期一個月。根據聯盟標準化工作管理辦法，2025年4月29日起開始征求意見，截止日期2025年5月29日。

征求意見稿已經由秘書處郵件發送至聯盟成員單位；非聯盟成員單位如有需要，可發郵件至casas@casa-china.cn。

征求意見標準列表（No.1）

T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非鉗位電感開關（UIS）測試方法》 

本文件規定了SiC MOSFET非鉗位電感開關（UIS）的測試方法，包括單脈沖雪崩擊穿能量（EAS）和重復雪崩擊穿能量（EAR）的測試原理、測試流程、數據記錄和處理等內容。 

本文件適用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實驗室研發等階段的UIS測試。對于SiC MOSFET功率模塊，可在將單管封裝成模塊前參照本文件對單管進行測試。

T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測試方法》 

本文件規定了SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性的測試方法，包括Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類短路的測試原理、測試流程、數據記錄和處理等內容。 

本文件適用于SiC MOSFET單管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實驗室研發等階段的短路可靠性測試。

T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法》 

本文件規定了SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法，包括測試原理、測試流程、數據記錄和處理等內容。

 本文件適用于SiC MOSFET功率模塊在FT（Final Test）、實驗室研發等階段的短路可靠性測試。

北京華峰測控技術股份有限公司

北京華峰測控技術股份有限公司（以下簡稱“華峰測控”），作為國內最早進入半導體測試設備行業的企業之一，已在行業深耕近三十年，始終聚焦于模擬和混合信號測試設備領域。 

華峰測控憑借產品的高性能、易操作和服務優勢等特點，在模擬及數模混合測試設備領域多次打破了國外廠商的壟斷地位，在營收和品牌優勢方面均已達到了國內領先水平。華峰測控產品不但在中國境內批量銷售，還外銷至中國臺灣、美國、歐洲、韓國、日本及東南亞等境外半導體產業發達地區。截至2024年5月底，華峰測控產品全球累計裝機量突破7000臺。 

華峰測控目前已成為國內前三大半導體封測廠商模擬測試領域的主力測試平臺供應商，擁有著上百家集成電路設計企業客戶資源，同時也與超過三百家以上的集成電路設計企業保持著緊密的業務合作關系。未來，中國自主芯片產業的快速發展將為華峰測控高速、持續的成長提供重大發展機遇。