天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司“一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119584570A。

本發(fā)明提供了一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法，在碳化硅襯底下側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底上側(cè)面外延生長(zhǎng)形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成擴(kuò)散區(qū)、續(xù)流區(qū)及N型源區(qū)；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積形成柵介質(zhì)層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成柵極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，在器件內(nèi)部構(gòu)建了P型擴(kuò)散區(qū)和N型均流區(qū)構(gòu)建的超結(jié)結(jié)構(gòu)，可以在固定厚度和面積條件下有效提高器件的耐壓能力，構(gòu)建了肖特基二極管，可以有效降低器件的反向恢復(fù)時(shí)間，實(shí)現(xiàn)快恢復(fù)。