2025年4月23日，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產業博覽會(CSE)期間，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）（以下簡稱“聯盟”）正式發布2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準：

T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定方法 輝光放電質譜法》

T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》

兩項標準的發布，旨在為碳化硅（SiC）單晶生長技術的規模化、高質量發展提供關鍵支撐。

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楊富華　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長、標準化委員會主任

周　明　賽邁科先進材料股份有限公司總經理 

肖青平　北京北方華創微電子裝備有限公司工藝總監

徐明升　山東大學教授

彭棒棒　湖南三安半導體有限責任公司銷售總監

董　娟　山東天岳先進科技股份有限公司知識產權經理

劉曉星　山西爍科晶體有限公司市場技術經理 

楊蘭芳　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長

共同見證2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準的發布。

標準制定背景

技術創新與技術標準結合往往決定了產業的發展方向和產業價值鏈的分配比。

2024年，我國SiC襯底產量120萬片，同比增長60%，占全球供給的三分之一，進入全球第一梯隊。這離不開20年來SiC襯底研發的持續投入，離不開供應鏈企業的共同努力。 

等靜壓石墨是PVT法生長SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產物料成本的30%，其國產化、產業化、規模化推動了SiC成本的持續降低，加快了SiC器件更廣泛的應用于光伏、儲能、工業變頻，為我國的雙碳戰略貢獻力量。

標準點評

聯盟副理事長兼秘書長楊富華致辭中表示，標準已從傳統意義上的產品互換和質量評判的依據上升為產業整體發展戰略的重要組成部分，成為事關產業發展的基礎性、先導性和戰略性工作。本次碳化硅單晶生長用等靜壓石墨兩項標準的發布，標志著我國在高端碳材料領域邁出堅實的一步。聯盟目前圍繞產業鏈上中下游協同，規劃制定標準60余項，以樹立行業信心，助力新興市場開拓，支撐產業的高質量發展。聯盟歡迎更多的產業力量參與進來，以標準為引領，以創新為驅動，共同構建開放、共享、可持續的第三代半導體產業生態體系。

賽邁科先進材料股份有限公司總經理周明致辭中說到，高純度等靜壓石墨是化合物半導體制程中的重要零部件耗材，尤其在碳化硅單晶生長中，石墨材料的純度控制、性能控制、科學應用，極大的影響了晶體生長的質量和良率。石墨熱場材料是否穩定可控，成為了各襯底企業單晶生長環節的重要生命線之一。今天這2項團體標準的發布，也標志著我國化合物半導體領域用石墨及碳材料產品邁向了更高水。感謝參與本次標準編制的各用戶單位、高校、院所，為標準的起草提供了很多基礎數據、產品使用情況參考和寶貴意見。下一步，賽邁科將在聯盟指導下，繼續推進功能石墨材料、石墨基復合材料、材料測試方法的標準建設，進一步提升行業標準水平，把“好材料”推向“好用戶”，從“國產化”到“走出去”。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長兼標準化委員會秘書長高偉博士主持發布會。

未來，CASA聯盟將繼續圍繞第三代半導體材料、器件及應用，加速關鍵標準研制與國際化布局，助力第三代半導體產業在全球價值鏈中占據更高位勢。