納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族，集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能，使其在高功率應(yīng)用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護(hù)（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV HBM ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)并具備可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)，使得封裝可以像一個(gè)離散的氮化鎵FET一樣被處理，不需要額外的VCC引腳。

汽車電子委員會(huì)（AEC）制定的包括AEC-Q100和AEC-Q101在內(nèi)的主流認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，分別針對(duì)汽車應(yīng)用中使用的封裝芯片和分立器件，進(jìn)行基于失效機(jī)制的應(yīng)力測(cè)試。納微的GaNSafe™產(chǎn)品系列已通過這兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證，以確保納微的分立功率氮化鎵晶體管和集成的功率控制保護(hù)電路解決方案都能滿足這些嚴(yán)格的規(guī)范要求。

為了支撐這一認(rèn)證，納微半導(dǎo)體編制了一份全面的可靠性報(bào)告，該報(bào)告分析了超過7年的生產(chǎn)和實(shí)際應(yīng)用數(shù)據(jù)。報(bào)告展示了公司的業(yè)績(jī)記錄，以及產(chǎn)品在魯棒性和可靠性方面的迭代和系列改進(jìn)，確認(rèn)了氮化鎵功率芯片具備極高的可靠性并且非常適用于汽車領(lǐng)域。這份可靠性報(bào)告可供符合資質(zhì)的客戶查閱。

納微最新的氮化鎵（GaN）可靠性報(bào)告顯示，過去七年產(chǎn)量持續(xù)攀升，已累計(jì)出貨超過2.5億顆，同時(shí)將現(xiàn)場(chǎng)失效率降至極具競(jìng)爭(zhēng)力的十億分之100（ppb)。

2025 年 3 月，納微還推出了全球首款量產(chǎn)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片和與之配備的IsoFast驅(qū)動(dòng)器，引發(fā)了電力電子領(lǐng)域的范式轉(zhuǎn)變，使得從兩級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向單級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變成為可能，從而進(jìn)一步提高AC-DC和AC-AC轉(zhuǎn)換的效率、功率密度和性能。這將使下一代單級(jí)車載充電器能夠以更高效、超緊湊的解決方案實(shí)現(xiàn)雙向充電，并省去體積龐大的電容器和輸入電感器。

一家領(lǐng)先的電動(dòng)汽車及光伏微逆制造商已開始采用單級(jí)BDS變換器以提升其系統(tǒng)效率、縮小尺寸并降低成本。搭載GaNFast™的單級(jí)變換器可實(shí)現(xiàn)高達(dá)10%的降本、20%的節(jié)能以及50%的體積縮減。