半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：在半導體材料領域，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因其卓越的性能而備受關注。然而，高品質(zhì)低成本碳化硅晶體的生長一直是行業(yè)內(nèi)的技術難題。今天，常州臻晶半導體有限公司憑借其創(chuàng)新的液相法碳化硅電阻爐技術，為這一領域帶來了全新的解決方案，其產(chǎn)品以獨特的差異化特點脫穎而出，引領著行業(yè)發(fā)展的新潮流。
6-8英寸液相法碳化硅電阻爐
一、創(chuàng)新技術，突破行業(yè)瓶頸
（一）液相法單晶爐制造技術
常州臻晶半導體自主研發(fā)的液相法單晶爐，采用了先進的設計理念和制造工藝。該單晶爐具有6 - 8英寸大直徑設計，能夠滿足不同尺寸晶體生長的需求。同時，它還具備多點溫度實時精確監(jiān)控功能，從而實現(xiàn)對溫場空間的實時穩(wěn)定調(diào)控。這種精準的溫度控制能力，使得固液界面狀態(tài)能夠得到實時調(diào)控，為碳化硅晶體的穩(wěn)定生長提供了有力保障。通過這一技術，常州臻晶半導體成功解決了傳統(tǒng)氣相PVT長晶技術中存在的溫度高、不可實時監(jiān)控、長晶厚度薄、擴徑難等問題，實現(xiàn)了碳化硅晶體生長技術的重大突破。
（二）多元活性助溶技術
在碳化硅晶體生長過程中，碳源的供應至關重要。常州臻晶半導體的多元活性助溶技術，通過使用優(yōu)化助熔劑配方，增加了高溫區(qū)碳源的供應，從而提高了溶碳量。這一技術的應用，不僅提升了晶體生長的速率，還有效提高了晶體的良率。與傳統(tǒng)的碳源供應方式相比，多元活性助溶技術能夠更好地實現(xiàn)碳源的快速持續(xù)可控供應，為碳化硅晶體的高質(zhì)量生長提供了充足可控的碳源。
（三）液相法SiC長時間穩(wěn)定長晶工藝
常州臻晶半導體的液相法SiC長時間穩(wěn)定長晶工藝，是其產(chǎn)品差異化的核心競爭力之一。該工藝通過精確控制生長參數(shù)，實現(xiàn)了碳化硅晶體的可控生長。這種可控性不僅體現(xiàn)在晶體生長的速度和質(zhì)量上，還體現(xiàn)在晶體的尺寸和形狀上。通過這一工藝，常州臻晶半導體能夠生產(chǎn)出高品質(zhì)、大尺寸、形狀規(guī)則的碳化硅晶體，滿足了市場對于高性能碳化硅材料的需求。此外，該工藝還具有生長效率高、能耗低等優(yōu)點，符合新時代低能耗的發(fā)展要求，為客戶降低了生產(chǎn)成本，提高了經(jīng)濟效益。
二、卓越性能，滿足高端需求
（一）高品質(zhì)晶體
常州臻晶半導體的液相法碳化硅電阻爐所生長的晶體，具有“0”微管、“極低”位錯的優(yōu)異品質(zhì)。拉曼光譜分析結(jié)果顯示單晶100%為4H晶型，單晶X射線衍射搖擺曲線測試顯示FWHM為20弧秒，表明晶體結(jié)構(gòu)完整，缺陷少。這種高品質(zhì)的碳化硅晶體，能夠滿足高端半導體器件制造對于材料的嚴格要求，為新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、AR眼鏡、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了堅實的材料基礎。
（二）易擴徑與易長厚
液相法碳化硅晶體生長技術在擴徑和長厚方面具有天然的優(yōu)勢。由于其生長原理、物質(zhì)傳輸特性及熱力學穩(wěn)定性等因素，使得晶體易于擴徑至8英寸及以上尺寸，同時也能夠?qū)崿F(xiàn)較厚晶體的生長，極限長晶厚度可達6cm以上。這對于滿足未來大尺寸碳化硅器件制造的需求具有重要意義。大尺寸、厚晶體的碳化硅材料，能夠提高器件的性能和可靠性，為高端半導體器件及光學應用的研發(fā)和生產(chǎn)提供了更廣闊的空間。
三、完善產(chǎn)品及服務，助力客戶成功
（一）熱場工藝包及服務
常州臻晶半導體還可為客戶提供專業(yè)的熱場工藝包。設備交付同時，公司可以提供長晶所需的全套熱場及原材料，安排專人到客戶處使用交付設備進行長晶演示，全程示范操作工藝。在演示過程中，同步對客戶指定人員進行工藝培訓，幫助客戶掌握先進的碳化硅晶體生長工藝。對于客戶在自主長晶過程中遇到的問題，公司會及時進行評估并提供專業(yè)的解答，助力客戶成功生產(chǎn)出高品質(zhì)的碳化硅晶體。
（二）配套液相法籽晶粘接爐（帶柔性粘接工藝包）
在液相法碳化硅晶體生長領域，常州臻晶半導體的柔性粘接工藝堪稱一項奇妙創(chuàng)新。該工藝采用先進的粘接技術，確保在晶體生長完成后，能夠?qū)崿F(xiàn)零損傷地取出單晶。這一技術突破，不僅最大程度地保留了晶體的完整性，還為后續(xù)的加工和應用提供了極大的便利。與傳統(tǒng)的粘接方法相比，柔性粘接工藝在晶體生長過程中能夠更好地適應晶體的熱膨脹和收縮，避免了因應力集中而導致的晶體裂紋和損傷。這種對晶體生長應力的優(yōu)化改善，使得晶體的質(zhì)量和性能得到了顯著提升，滿足了高端半導體器件制造對于材料的嚴格要求。
6-8英寸液相法碳化硅籽晶粘接爐
（三）設備售后
常州臻晶半導體擁有一支專業(yè)高效的售后服務團隊，始終以服務客戶為第一原則。在設備安裝調(diào)試方面，公司承諾設備到達現(xiàn)場后1個工作日內(nèi)安排人員進行安裝調(diào)試，確保設備能夠快速投入使用。設備安裝調(diào)試完成后1個工作日內(nèi)，公司會提供設備操作指導，并提供詳細的操作手冊，幫助客戶快速掌握設備的使用方法。此外，公司還會提供設備保養(yǎng)指南，并對客戶進行日常維護指導，延長設備的使用壽命。在故障診斷及維修方面，常州臻晶半導體提供快速響應服務，自設備驗收合格之日起1年內(nèi)，2小時響應，8小時反饋，第一時間為客戶解決設備使用過程中遇到的問題。這種全方位、高效率的售后服務，為客戶提供了堅實的后盾，讓客戶在使用設備過程中無后顧之憂。
四、合作優(yōu)勢，共創(chuàng)美好未來
選擇常州臻晶半導體的液相法碳化硅電阻爐，您將獲得以下合作優(yōu)勢：
（一）技術領先
常州臻晶半導體在液相法碳化硅晶體生長技術方面處于行業(yè)領先地位。公司擁有一支由陸敏博士等多位資深專家組成的研發(fā)團隊，他們在化合物半導體領域擁有幾十年的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。團隊人員承擔或參與了多項國家發(fā)改委、工信部、科技部重點研究計劃、863、973和國家自然科學基金等科技及產(chǎn)業(yè)化項目。公司申請國內(nèi)發(fā)明專利40件，授權(quán)30件，起草并發(fā)布國際標準1項，國家標準4項。與常州臻晶半導體合作，您將能夠享受到行業(yè)內(nèi)最前沿的技術成果，為您的企業(yè)發(fā)展注入強大的動力。
（二）產(chǎn)品可靠
常州臻晶半導體的液相法碳化硅電阻爐經(jīng)過嚴格的質(zhì)量檢測和工藝驗證，具有穩(wěn)定可靠的性能。公司建立了完善的質(zhì)量管理體系，從原材料采購到產(chǎn)品生產(chǎn)，再到最終的出廠檢測，每一個環(huán)節(jié)都嚴格把控，確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，公司已通過IATF16949認證。選擇常州臻晶半導體的產(chǎn)品，您將獲得高品質(zhì)、高性能的設備，為您的生產(chǎn)運營提供可靠的保障。
（三）服務專業(yè)
常州臻晶半導體始終堅持以客戶為中心，為客戶提供專業(yè)、高效、貼心的服務。無論是設備的安裝調(diào)試、操作培訓，還是后期的維護保養(yǎng)、故障維修，公司都能夠提供全方位、一站式的解決方案。此外，公司還為客戶提供工藝服務支持，幫助客戶提升生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品質(zhì)量。與常州臻晶半導體合作，您將享受到專業(yè)、高效的服務體驗，讓您的企業(yè)發(fā)展更加順暢。
（四）共同發(fā)展
常州臻晶半導體致力于與客戶建立長期穩(wěn)定的合作關系，共同推動碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。公司愿意與客戶分享技術經(jīng)驗，共同探索新的應用場景和市場機會。通過與常州臻晶半導體的合作，您將能夠借助公司的技術優(yōu)勢和市場資源，實現(xiàn)企業(yè)的快速發(fā)展，共同開創(chuàng)美好的未來。常州臻晶半導體有限公司的液相法碳化硅電阻爐，以其創(chuàng)新的技術、卓越的性能和完善的服務，為碳化硅晶體生長領域帶來了全新的解決方案。選擇常州臻晶半導體，您將獲得行業(yè)內(nèi)領先的技術支持、高品質(zhì)的產(chǎn)品設備和專業(yè)高效的服務保障。讓我們攜手共進，共創(chuàng)碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)的美好明天！
