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芯聯集成:公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實現了650V到2000V系列的全面布局

日期:2025-03-18 閱讀:253
核心提示:芯聯集成在互動平臺表示,公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實現了650V到2000V系列的全面布局,其中1200V車載主驅逆變器實現量產,

 芯聯集成在互動平臺表示,公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實現了650V2000V系列的全面布局,其中1200V車載主驅逆變器實現量產,是國內最早能夠提供車載主驅逆變器SiC MOSFET晶圓制造的企業,技術處于國際領先水平之列;1700V的平面SiC MOSFET也處于國際領先水平,可用于新能源光伏逆變器系統。 在車載SiC MOSFET領域,公司持續拓展車載領域和工控領域國內外OEMTier1客戶。目前已經覆蓋大部分新能源汽車主流品牌。 在產能方面,公司已擁有一條8英寸SiC MOSFET晶圓試驗線和一條月產8000片的6英寸SiC MOSFET晶圓量產線。公司將結合市場需求、相關技術成熟情況等因素,逐步拓展8英寸產線的產能。   

(來源:第一財經)                        

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