半導體產業網獲悉，廣東芯粵能半導體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經過近兩年時間的技術研發和測試，已成功開發出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。該平臺采用芯粵能自主知識產權的溝槽MOSFET結構，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產品可靠性的同時，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進一步提升芯片性能、大幅降低成本。

據悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺的1200V試制品單片最高良率超過97%，23mm2芯片尺寸下導通電阻為12.5mΩ，比導通電阻為2.3mΩ•cm2，比肩國際領先廠商主流產品性能指標，溫升系數、開關損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿足產業應用要求，2025年1月已經零失效通過HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關鍵可靠性摸底測試的1000小時考核。除第一代產品外，芯粵能也在積極研發布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進一步鞏固其在國內的技術領先地位，實現對國際領先廠商的趕超。

碳化硅MOSFET在以新能源汽車主驅芯片、充電樁、光伏、儲能等為代表的產業應用正在以驚人的速度擴張，碳化硅MOSFET的技術迭代也在提速進行。業界公認碳化硅溝槽MOSFET是碳化硅平面MOSFET觸及Pitch極限后最佳的技術方案之一，此前英飛凌、羅姆已開發并量產碳化硅溝槽MOSFET，安森美也已于近期宣布在其下一代碳化硅MOSFET上采用溝槽結構。芯粵能技術負責人表示：“第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺是芯粵能技術創新路上的一個重要里程碑，不僅展示出公司雄厚的研發實力，也進一步鞏固了公司在行業中的領導地位，大幅提升公司的技術能力和市場競爭力。未來，我們將繼續秉承創新驅動的發展戰略，推動更多具有革命性意義的技術進步，助力行業發展與轉型。”