氮化鎵與碳化硅技術憑借性能優勢，正重塑電力電子、通信及新能源產業格局，未來將形成互補共存的應用生態，推動全球半導體產業向高效、低碳方向轉型。 

2月27日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導體產業網（www.ynpmqx.com）、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶大學、 重慶郵電大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。 

28日精彩繼續，其中，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導體技術及應用，氮化鎵、金剛石功率半導體技術及應用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導體制造關鍵技術及裝備等熱點主題與方向，來自產業鏈相關專家、高校科研院所及知名企業代表共同深入分享探討。

廈門大學特聘教授康俊勇，南京大學教授修向前，南京大學教授陳鵬，西南交通大學電氣工程學院教授馬紅波，湖南三安半導體高級研發經理劉成聯袂主持了本次分論壇。

廈門大學特聘教授康俊勇

電子科技大學集成電路科學與工程學院王茁成博士做了“低功耗硅基氮化鎵功率器件新結構”的主題報告，分享了相關研究進展與成果。

南京大學教授陳鵬做了“高壓GaN基SBD功率器件研究進展”的主題報告，分享了其課題組近年來通過研究GaN SBD的擊穿機制和器件工藝，研制超高壓/低開起的GaN SBD的有關成果。

天通銀廈新材料有限公司副總經理兼CTO康森做了“大尺寸藍寶石晶圓技術進展及其半導體領域的應用趨勢”的主題報告，分享了大尺寸藍寶石晶圓在晶體生長、加工工藝及缺陷控制方面的技術突破與其在半導體領域的應用前景等內容。

西南交通大學電氣工程學院教授馬紅波做了”基于GaN HEMT/SiC MOSFET的高頻、高效電能變換與應用“的主題報告，結合其研究團隊多年來在寬禁帶器件方面的應用經驗，面向數據中心、無線傳能、航空航天等領域，從變換架構、軟開關拓撲、控制方法、數字控制等方面介紹基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高頻、高效電力電子變換器設計，并指出其中的設計關鍵和考量。

西安電子科技大學教授許晟瑞做了”氮化物材料外延與p溝器件“的主題報告，分享了最新研究成果與進展。

浙江大學教授、杭州鎵仁半導體有限公司董事長張輝做了“大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展”的主題報告，介紹了相關研究進展與趨勢。

大連理工大學副教授張赫之做了”氧化鎵外延生長中擴展缺陷形成機制及其對功率器件影響“的主題報告，分享相關研究成果與進展，涉及β-Ga₂O₃厚膜外延中缺陷擴展的研究等內容。

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副研究員鐘耀宗做了”基于p-GaN二次外延的增強型HEMT材料與器件研究“的主題報告，分享了最新研究成果與進展。

重慶郵電大學講師華潤微電子（重慶）有限公司博士后、主任工程師高升做了”GaN功率器件關鍵技術與失效模式“的主題報告，分享了相關研究進展與成果。

湖南三安半導體有限責任公司高級研發經理劉成做了”應用于高效能源及智能終端的GaN功率電子器件技術及挑戰“的主題報告，分享了相關趨勢進展。

杭州云鎵半導體科技有限公司器件研發經理李茂林做了”氮化鎵功率器件與工業級應用前景“的主題報告，新能源領域，如微型逆變器和OBC等應用中，GaN器件結構的創新以及驅動集成技術的引入，將推動GaN功率器件挖掘出更大的性能與成本潛力。報告分享相關技術及應用趨勢。

山東大學新一代半導體材料研究院博士后葛磊做了”金剛石CVD生長及光電器件制備研究進展“的主題報告，分享了相關研究成果進展。

北京特思迪半導體設備有限公司副總裁蔣繼樂做了”金剛石材料精密拋光技術的研究進展“的主題報告，分享了最新研究進展。

南京大學教授修向前做了”大尺寸氮化鎵襯底技術研究“的主題報告，介紹了相關研究成果進展。

南方科技大學研究教授汪青做了“GaN功率集成器件和感算一體傳感系統研究”的主題報告，分享相關研究成果與進展，涉及首次實現基于電荷捕獲層（Charge Trapping Layer，CTL）技術的單片集成反相器。并聚焦于CMOS集成電路中必不可少的單元 GaN p-FET 器件存在的歐姆接觸和柵極刻蝕等關鍵問題，還介紹GaN氣體傳感器方面的工作，重點探討 GaN 感算一體傳感系統研究及其潛在應用。

松山湖材料實驗室工程師王方洲做了“基于Schottky-MIS級聯陽極結構的低功耗GaN橫向功率二極管研究”的主題報告，分享相關研究成果與進展，涉及Schottky-MIS級聯陽極結構等內容。

中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員游天桂做了“基于離子束剝離與轉移技術的寬禁帶半導體異質集成材料與器件”的主題報告，分享相關研究成果與進展，研究結果表明離子束剝離與轉移技術可以發展成為制備寬禁帶半導體異質集成材料的通用技術。

西安電子科技大學副教授付裕做了“硅終端金剛石場效應管研究進展”的主題報告，重點介紹硅終端金剛石界面機理、制備工藝、及其場效應晶體管應用等方面的研究進展，以期推動金剛石半導體功率器件的發展。

福州大學副教授許曉銳做了“高壓低導通氧化鎵功率二極管器件設計與關鍵工藝研究”的主題報告，圍繞有效p型摻雜的缺乏導致器件終端電場調控難、p型氧化鎳（p-NiO）空穴濃度高溫易退化、增強型MOSFET所需的電流阻擋層（CBL）缺陷密度高等關鍵問題，分享了相關研究進展與成果。

重慶師范大學蔣佶利做了“超寬禁帶氧化鎵基日盲深紫外光電探測器”的主題報告，重點介紹了相關研究成果。涉及高透明Ga₂O₃薄膜的制備與改性；日盲深紫外探測器件設計與性能優化；器件概念性應用開發。

中國科學院半導體微電子研究所助理研究員姚毅旭做了“深能級瞬態譜在GaN基異質結功率器件中的應用”的主題報告，深能級瞬態譜（DLTS）技術作為寬禁帶半導體器件缺陷表征的核心方法，為解決GaN基HEMT/MIS-HEMT等器件的可靠性難題提供了關鍵支撐。報告詳細介紹了相關成果。

論壇期間，西安電子科技大學教授許晟瑞主持下，圍繞著“900V及以上GaN器件應用趨勢和技術發展方向、 650V-900V大功率應用場景下GaN與SiC器件的競爭及GaN器件的競爭力”、“藍寶石，硅，以及氮化鎵 等襯底的氮化鎵器件，未來誰更有王者風范？ ”、“30V及以下低壓器件的應用前景及技術難點”、“第三代半導體電力電子器件可靠性判斷，以及實際應用路徑”、“基于12寸大尺寸Si基先進制程產線GaN器件技術的優勢”、“商用GaN功率器件后續的技術發展趨勢”等主題，南京大學教授陳鵬、三安半導體研發經理劉成、西南大學教授馬紅波、聚能創芯總經理袁理等嘉賓與現場觀眾，展開探討，分享交流，觀點碰撞，現場氣氛熱烈。

 （論壇內容詳情，敬請關注半導體產業網、第三代半導體公號）