當前，8英寸碳化硅晶圓智能制造圍繞工藝升級、產業鏈協同和成本優化等方向發展，技術突破與規?；瘧脤⑼苿赢a業從“產能擴張”向“高質量交付”轉型，加速新能源、通信等領域的低碳化進程‌。

2月27日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導體產業網（www.ynpmqx.com）、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶大學、 重慶郵電大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。 

28日精彩繼續，“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”，圍繞8英寸晶體、外延及器件技術 大規模生產制造、關鍵耗材及制造工藝優化，關鍵材料及工藝裝備、器件及可靠性設計，SiC 器件設計及產品創新應用等主題，來自產業鏈相關專家、高?？蒲性核爸髽I二十余位代表共同深入探討，追蹤最新進展。

杭州海乾半導體有限公司董事長孔令沂，山東山大華天科技集團股份有限公司總工程師遲恩先，浙江大學特聘研究員任娜，國家新能源汽車技術創新中心總師、動力系統業務單元負責人劉朝輝，湖南三安半導體有限責任公司技術副總許志維，重慶郵電大學教授、華潤微電子（重慶）有限公司技術專家陳偉中聯袂主持了本次論壇。

杭州海乾半導體有限公司董事長孔令沂

湖南三安半導體科技有限公司總經理助理高玉強做了“高質量8英寸碳化硅單晶材料技術發展與挑戰”的主題報告，報告指出，目前三安8英寸碳化硅單晶材料的質量指標已經與6寸量產指標持平甚至超越。

賽邁科先進材料股份有限公司CTO、副總經理吳厚政做了“精細石墨元件：化合物半導體高質量產業化的關鍵支撐”的主題報告。詳細闡述了精細石墨在復合半導體制造、產品設計以及等石墨結構分析中的應用，重點介紹了碳材料產品設計的關鍵控制點，重點關注產品設計理念和基本產品功能的選擇，先進碳材料的發展趨勢和行業內的當前產業實踐，以及利用精細石墨技術開發的新產品在化合物半導體工藝中的示范應用等。

北京北方華創微電子裝備有限公司SiC外研工藝技術經理胡偉杰做了”SiC外延裝備技術研究及產業協同”的主題報告，降低成本是SiC領域的重要訴求，對外延設備帶來更高挑戰，報告詳細分享了SiC外延市場分析及挑戰、SiC材料外延裝備解決方案等最新進展。

南方科技大學副教授葉懷宇做了”碳化硅器件封裝和失效分析“的主題報告，分享了相關研究成果與進展。

合肥陽光電動力科技有限公司電控硬件主管萬富翔做了”新一代功率器件并聯技術在電驅系統的應用“的主題報告，分享了目前市場發展背景和趨勢，新一代功率器件并聯平臺的特點，及驅動系統關鍵技術最新進展及研究成果。

重慶大學教授曾正做了“車用碳化硅功率器件：機遇與挑戰”的主題報告，詳細闡述了車用碳化硅功率器件的行業需求、應用現狀、技術挑戰和發展趨勢，為下一代車用碳化硅功率器件的研發與應用提供參考。

浙江大學特聘研究員任娜做了“基于P型碳化硅襯底材料的結勢壘肖特基二極管及其光電特性”的主題報告，分享了最新研究成果，研究基于該p型襯底和外延材料研制出了JBS器件，并深入探討了器件的雪崩特性、電導調制效應以及光電特性等。

河南中宜創新芯發展有限公司董事長孫毅做了“碳化硅半導體粉體進展”的主題報告，分享了相關進展趨勢，報告指出，我國碳化硅材料產業迎來“百團大戰”，需要合理競爭，建立良性產業生態，加強行業合作，推動國內產業的快速發展。

湖南三安半導體有限責任公司技術副總許志維介紹了三安半導體業務進展，包括三安SiC MOSFET技術平臺以及后續規劃與技術難題等。涉及8吋襯底&外延產品路線圖，SiC分立器件和模塊技術路線等。

重慶平創半導體CTO王曉做了“納米銅燒結：功率器件封裝互聯技術的新篇章”的主題報告，介紹了相關研究進展。

臺達電子企業管理（上海）有限公司綠能汽車電源設計部電子設計副經理王小磊做了“第三代功率半導體在車載電源中的應用和挑戰”的主題報告，分享了新能源汽車市場狀況，功率半導體在車載電源中的應用及挑戰等。

重慶大學研究員蔣華平做了“碳化硅MOSFET動態閾值漂移”的主題報告，針對2022年特斯拉Model 3召回事件從器件本體和電路回路參數差異兩個方面展開分析，揭示碳化硅MOSFET動態閾值漂移規律及其背后的物理機理，并提出相應的解決方法。

?？怂构I有限公司總裁李杰做了“AI賦能半導體制造生態”的主題報告，剖析AI技術在半導體行業的發展趨勢，并結合?？怂棺灾餮邪l的核心技術，賦能半導體智能制造，特別是在功率半導體領域，解決產業在智能化過程中出現的痛點及難點，為國內功率半導體智能制造領域提供解決方案。 

中南大學教授汪煉成做了“功率半導體模塊關鍵互連集成研究”的主題報告，介紹課題組在功率模塊互連工藝和技術方面研究，包括納米銀燒結機理與致密化工藝研究，BGA-雙面散熱模塊互連，凸臺式襯板互連，銅夾互連等，實現倒裝焊接BGA+納米銀燒結雙面功率模塊，倒裝Spacer 雙面功率模塊，凸臺式DBC功率模塊封裝。

山東大學副研究員鐘宇做了“高功率碳化硅肖特基二極管技術及產業化”的主題報告，分享山東大學團隊研發的碳化硅肖特基二極管工藝，最高能夠承受5000V電壓，單管正向電流高達200A。

芯弦半導體系統應用總監王昊做了“實時控制MCU國產化現狀及趨勢”的主題報告，分享了最新趨勢進展。

華潤微電子產品線高級總監馬榮耀做了“SiC MOS技術進步驅動行業變革”的主題報告，介紹SiC產業發展現狀，目前華潤微在SiC產品技術上的突破和思考以及新SiC產品在應用方案上的表現。

國家新能源汽車技術創新中心總師、動力系統業務單元負責人劉朝輝做了“碳化硅芯片先進封裝和熱管理關鍵技術”的主題報告，結合市場發展背景和趨勢，分享了最新技術進展。

泰克科技大中華區技術總監張欣做了“從參數測試道可靠性驗證 新型功率器件的特性表征”的主題報告。報告分享了相關研究進展，并指出當前WBG功率器件面臨諸多挑戰，其中SiC MOSFET 的可靠性問題涉及SiC的柵氧化層可靠性(外在缺陷的測試、SiC的(動態)閾值電壓漂移(BTI)、SiC MOSFET 在高 dv/dt 條件下的可靠性問題。應用端可靠性問題涉及失效機理不清晰，需要在真實應用場景下加速測試等。

山東山大華天科技集團股份有限公司總工程師遲恩先做了“SiC器件在電能質量優化與儲能一體化裝置中的應用”的主題報告，剖析SiC器件面臨的諸多問題、應用展望以及探索。并提出了相應的解決方案，報告指出SiC器件的應用，驅動設計十分重要，尤其應注意合理布線。

重慶郵電大學教授、華潤微電子（重慶）有限公司技術專家陳偉中做了“SiC MOSFET器件設計與集成技術”的主題報告，分享了相關進展與趨勢。

論壇期間，浙江大學特任研究員任娜主持下，圍繞著“8英寸碳化硅制造供應鏈最大的挑戰在哪個技術環節? ”、“目前SiC行業陷入價格內卷，產業如何才能健康發展？”、“ 新能源汽車和光伏之后，下一個應用突破口會是什么？”等熱門話題， 山大華天副總經理遲恩先、國家新能源汽車創新中心總師劉朝輝 、南砂晶圓副總經理于國建、賽邁科副總CTO 吳厚政等嘉賓與與現場觀眾展開探討，分享現場氣氛熱烈。

（論壇內容詳情，敬請關注半導體產業網、第三代半導體公號）