化合物半導體產業是一個高度專業化和技術密集型的領域，它專注于制造由兩種或更多種元素組成的半導體材料。這些材料通常包括第三族至第五族元素（如砷化鎵GaAs、氮化鎵GaN）或第二族至第六族元素（如碲化鎘CdTe），它們擁有比硅更優的電子特性，例如更高的電子遷移率、更好的熱導率和直接帶隙，這使得它們在高頻、高速、高功率及光電器件應用中表現卓越。

目前，化合物半導體產業是一個迅速走向成熟的產業，涵蓋從晶體生長、晶圓制造、前端工藝處理直至測試與封裝設備等關鍵環節。以化合物半導體產業鏈中重要的襯底市場為例，據國際研究機構預測，在2023年至2029年間，其價值預計將以17%的復合年增長率（CAGR）攀升，至2029年，該市場規模有望達到33億美元。這一顯著的增長勢頭得到了不斷升級的關鍵基礎設施的支持。

在工藝流程方面，化合物半導體產業鏈可以分為三個主要部分：

上游材料環節，包括襯底和外延；

中游的設計制造環節，涵蓋了設計、代工及集成器件制造商（IDM）活動；

下游的應用環節，即最終產品和服務的提供。

此結構不僅體現了行業的復雜性，也反映了其高度專業化和技術密集型的特點。

典型化合物半導體器件

在SiC方面，國內產業鏈已經初步形成，并且正在加速布局。中國在SiC襯底和外延片制造方面取得了顯著進展，部分企業如天科合達、山東天岳等6英寸襯底已經批量生產并占據一定市場份額，8英寸襯底開始小規模發貨，多家企業更是相繼公布12英寸樣片。中游的器件和模塊制造環節也逐漸成熟，多家公司正在擴大其SiC功率器件的產能。下游應用市場主要集中在新能源汽車、充電樁、光伏逆變器等領域，隨著政策支持和技術進步，SiC器件的應用前景廣闊。

GaN在中國的發展勢頭迅猛，尤其是在快充技術和5G通信基站建設的推動下。上游材料企業已經實現了GaN單晶襯底的小批量產業化，并且正在進行更大尺寸襯底的研發。中游制造方面，廠商專注于GaN功率器件、射頻器件和光電器件的開發與生產。下游應用場景主要包括消費電子產品中的快速充電器、無線充電設備，電信基礎設施中的高頻放大器以及LED照明顯示和藍綠激光器等。此外，由于GaN在軍事和航空航天領域的特殊性能需求，該領域也是重要的發展方向之一。

GaAs作為第二代半導體材料，在中國的產業鏈相對成熟，特別是在光電器件和無線通信組件方面有著廣泛應用。近年來，隨著5G網絡建設和物聯網市場的擴張，對于高性能GaAs器件的需求持續增長。InP在國內的發展雖然起步較晚，但因其優異的電學特性而在某些特定應用中顯示出巨大潛力。目前，國內少數幾家科研機構和企業掌握了2-6英寸InP襯底的生產工藝。InP主要用于高端光通信產品，如高速激光器、探測器及調制器，特別是在數據中心內部連接和長途傳輸網路中有重要地位。

2025年化合物半導體行業趨勢研判

展望2025年，化合物半導體產業預計將迎來持續的增長和技術革新。盡管SiC在電動車市場增長放緩的背景下承受一定壓力，但隨著電力建設項目的持續推動，庫存問題有望得到緩解，市場將繼續保持增長。氮化鎵GaN則憑借其高頻高效的優勢，在數據中心和衛星通信領域展現出強勁的發展勢頭，成為新一代無線基礎設施建設的首選材料。

政府對化合物半導體行業的支持一如既往地堅定，通過實施稅收減免、提供研發資金等政策措施，積極促進產業進步。這不僅激發了國內企業的創新活力，還吸引了大量資本投入，加速了技術研發和產品商業化的步伐。

隨著產業鏈結構不斷優化，設計與制造環節的專業分工趨勢愈發明顯，專業代工廠數量預期將有所增加，從而提升了行業的靈活性和響應速度。

此外，區域集中度的提升也將是2025年的顯著特征之一。這些因素綜合作用，鞏固了中國在全球化合物半導體市場中的重要地位，為行業未來的蓬勃發展奠定了堅實基礎。

當前化合物半導體產業格局

01產業鏈基本成型

中國化合物半導體產業鏈已經基本形成，具備了一定的國際競爭力。特別是在光電子領域實現了自主發展，微波射頻技術開始國產化，功率電子領域也推動了產業鏈能力的提升。并且，在全產業鏈上無明顯卡點，在裝備方面國產化發展空間更大。

02區域發展與產業集群初見規模中部快速崛起

國內化合物半導體產業已經形成了五大重點區域，包括京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角和中部地區。這些區域的布局有助于分散風險并促進產業的均衡發展。京津冀魯地區是技術創新的重要策源地，長三角地區成為化合物半導體產品的生產重鎮，珠三角以其開放的市場環境和強大的資金支持，吸引著國內外資本和技術的匯聚，閩三角地區通過獨特的地理位置優勢，促進了海峽兩岸半導體產業的合作交流；而中部地區，則以其較低的運營成本和政策優惠，為產業發展提供了廣闊的空間。例如，處于中部的武漢光谷等地區通過九峰山論壇等活動，積極推動化合物半導體全產業鏈的發展，形成了較為完善的科研、中試和生產基地。這些區域努力打造化合物半導體產業高地，吸引國內外企業合作。

03市場需求持續增長

隨著化合物半導體技術在新能源汽車、光電存儲與充電系統（光儲充）、軌道交通、以及新型顯示科技等多個關鍵領域的應用不斷深化和擴展，市場需求呈現出快速增長的趨勢。特別是在國內新能源乘用車市場，這一趨勢尤為顯著。根據最新數據，在2024年的前三個季度里，支持800V平臺的新能源車輛中，采用SiC器件的車型比例已經攀升至74%，較上一年度提升了15個百分點。這一顯著增長不僅體現了行業對高效能、高性能組件需求的提升，也彰顯了化合物半導體技術在推動綠色能源轉型中的重要作用。

04政策、資金雙加持，重大項目取得進展

2024年，各地政府積極響應國家戰略部署，紛紛出臺了一系列鼓勵化合物半導體產業發展的政策措施，旨在促進技術革新、加速產業升級，并構建更加完善的產業鏈生態。在資本市場上，化合物半導體領域的投資熱度持續高漲，多家企業成功完成超過5億元人民幣的大額融資。基于政策和資金支持，產內多個標志性項目取得了顯著進展。例如，重慶三安的8英寸SiC襯底工廠于9月成功點亮并通線，士蘭微電子位于廈門的8英寸碳化硅芯片生產線也在10月進入了土方工程的收尾階段。這些項目的順利推進，不僅體現了國內企業在化合物半導體領域不斷攀升的技術實力，也為未來市場的供應穩定性和產品質量提升提供了強有力的支撐。05技術創新與突破

國內科研團隊在化合物半導體領域取得多項技術突破。例如，芯聯集成在5月宣布成功下線8英寸碳化硅工程批次，標志著國產8英寸碳化硅晶圓生產邁入國產化階段。三安光電與廈門大學合作，成功研發出超8瓦大功率InGaN藍光激光器，應用于顯示、材料加工、通信等領域。九峰山實驗室成功點亮集成到硅基芯片內部的激光光源，為智能設備和數據中心的未來發展奠定了基礎。這些成就不僅展示了中國科研人員的創新能力，也標志著中國在全球半導體產業競爭中的地位得到了顯著提升。【以上內容僅供參考】

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