數據中心是云計算底層最核心的基礎設施，肩負著對數據進行集中存儲、計算和交換的職責。隨著物聯網、人工智能等技術的快速發展，數據中心正進一步演化成為智能數據中心，數據和計算量都在指數級增長，能源消耗也急劇增長，提升系統效率和降低能耗成為關鍵。
寬禁帶半導體（第三代半導體）氮化鎵（GaN）因其卓越的高頻高效低損耗特性，可以大大提升數據中心的供電效率并顯著降低能耗。英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者，始終致力于氮化鎵產品的研發與創新。針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。
1 應用于服務器電源的供電單元電源 (PSU)
服務器電源供應單元電源（Power Supply Unit, 簡稱PSU）
針對數據中心的前端輸入側——服務器電源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC環節，英諾賽科推出了15款功率器件、驅動芯片和合封芯片，打造鈦金能效的高效率、低功耗的PSU，實現服務器的穩定性和可靠性。
2 應用于數據中心主板電源 (Mother board)
在數據中心的主板電源應用中，英諾賽科共有8款分立和集成芯片，滿足54—12V供電環節的高效率高功率密度需求。
3 產品優勢
SolidGaN 是英諾賽科高集成度氮化鎵合封芯片，覆蓋電壓分別為100V和700V，具備集成過溫過流保護，集成米勒鉗位，兼容Si/SiC驅動，與當前通用產品相比，英諾賽科SolidGaN在系統中的應用更簡單，同時安全性更高，更可靠。
英諾賽科驅動產品 GaN Driver，分別涵蓋100V半橋和700V單通道，可用于驅動低側、高側或次級側氮化鎵開關管，與行業同類型產品對比，英諾賽科氮化鎵驅動器具備輸入電壓更寬，驅動能力更強，保護功能更多等優勢；在實際方案中，可獨立調節驅動開關速度，應用更靈活。
在應用端，英諾賽科根據市場需求開發了多款應用方案，如符合鈦金能效的2KW-4.2KW PSU, 1KW-8KW的高效高功率密度的48V轉12V的DC-DC電源解決方案等，在市場端，英語賽科已經與多家數據中心頭部廠商展開合作。
作為全球功率半導體革命的領導者，英諾賽科希望保持與行業上下游的緊密配合，共同打造更節能、高效、低碳化的數據中心，減少能源消耗，為可持續發展貢獻力量。
